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2023年7月11日，蘇州長(cháng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)光華芯”）在2023慕尼黑上海光博會(huì )舉辦“氮化鎵激光器產(chǎn)業(yè)化項目”簽約發(fā)布儀式。

基于第三代半導體（寬禁帶半導體）氮化鎵（GaN）材料的半導體激光器具有直接發(fā)光、高效率、低成本、易集成、高調制速率等優(yōu)勢，可覆蓋從紫外、紫光、藍光到綠光的可見(jiàn)光波段，在激光加工（金屬加工、激光直寫(xiě)）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車(chē)載大燈）、可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域具有廣泛應用，總體市場(chǎng)需求超百億元且呈現較高的復合增長(cháng)趨勢。然而，長(cháng)期以來(lái)，氮化鎵激光器芯片幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，是亟需實(shí)現自主可控的卡脖子技術(shù)。此次長(cháng)光華芯與蘇州鎵銳芯光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵銳芯光”）的簽約，正是為了加速推進(jìn)國產(chǎn)氮化鎵激光器芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。鎵銳芯光是由長(cháng)光華芯和中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合建設的氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗室基礎上成立的成果轉化和產(chǎn)業(yè)化平臺公司，其團隊曾先后研制出國內第一支氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片，掌握先進(jìn)、獨特的技術(shù)工藝，研發(fā)成果和技術(shù)水平國內領(lǐng)先。

鎵銳芯光表示，他們旨在成為國內第一、國際一流的氮化鎵基激光器芯片IDM企業(yè)，自主掌握外延設計與材料生長(cháng)、芯片設計與制造、封裝與測試等全流程設計和工藝制造能力。目前，該公司團隊研制的綠光激光器光功率已達1.2 W，填補了國內空白；大功率藍光激光器光功率已達7.5 W，達到國際一流水平。

長(cháng)光華芯表示，成立鎵銳芯光是公司“一支點(diǎn)、一平臺、橫向擴展、縱向延伸”發(fā)展戰略的戰略需求和重要實(shí)踐，將拓展長(cháng)光華芯半導體激光器芯片的材料體系、波譜范圍和市場(chǎng)應用。在長(cháng)光華芯成熟的半導體激光器芯片IDM運行經(jīng)驗和鎵銳芯光團隊頂尖的技術(shù)能力的強強聯(lián)合下，鎵銳芯光將大大加速?lài)a(chǎn)氮化鎵激光器芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，預計2023年底完成藍光、綠光芯片產(chǎn)品的工程樣片和種子客戶(hù)驗證，2024年建成國內最大的氮化鎵激光器芯片量產(chǎn)線(xiàn)并實(shí)現包括紫光芯片在內的全系列產(chǎn)品量產(chǎn)出貨，助力氮化鎵激光器產(chǎn)業(yè)高速、高質(zhì)量發(fā)展。