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       近日，國家信息光電子創(chuàng )新中心（NOEIC）和鵬城實(shí)驗室的光電融合聯(lián)合團隊完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗證，在國內首次驗證了3D硅基光電芯粒架構，實(shí)現了單片最高達8×256Gb/s的單向互連帶寬。

       團隊在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎上，進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設計仿真方法，研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片, 并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù)，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

       該方案充分利用了硅光與CMOS封裝工藝兼容的特點(diǎn)，相比于傳統wirebond方案，3D芯粒能解決電芯片與光芯片間高密度、高帶寬電互連的困難，顯著(zhù)降低射頻信號在光-電芯片互連過(guò)程中的嚴重衰減。經(jīng)系統傳輸測試，8個(gè)通道在下一代光模塊標準的224Gb/s PAM4光信號速率下，TDECQ均在2dB以?xún)?。通過(guò)進(jìn)一步鏈路均衡，最高可支持速率達8×256Gb/s，單片單向互連帶寬高達2Tb/s。