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長(cháng)光華芯二期項目在太湖科學(xué)城功能片區封頂
來(lái)源:本站原創(chuàng )  瀏覽次數:3858  發(fā)布時(shí)間:2024-09-27

日前,長(cháng)光華芯二期項目“先進(jìn)化合物半導體光電平臺”在太湖科學(xué)城功能片區正式封頂,將建設國內一流的半導體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺,為區域半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展添勢蓄能。

蘇州長(cháng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司于2012年在江蘇蘇州成立,致力于高功率半導體激光器芯片、激光雷達與3D傳感芯片、高速光通信半導體激光芯片及器件和系統的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,是全球少數幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導體激光器芯片的公司。

目前,長(cháng)光華芯已建成從芯片設計、MOCVD(外延)、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線(xiàn),公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品,在功率、亮度、光電轉換效率、壽命等方面屢次突破,獲多項專(zhuān)利,與全球先進(jìn)水平同步。

據悉,“先進(jìn)化合物半導體光電平臺”項目總占地面積約31畝,對標國際頂尖水準,建設生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設施,打造基于多種化合物半導體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)的先進(jìn)器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺。該項目被列入江蘇省重點(diǎn)工程,是繼2022年8月8日長(cháng)光華芯搬遷新基地后的又一重大工程,于2023年開(kāi)工,預計2025年建成并全面投產(chǎn)。此次二期項目封頂,標志著(zhù)長(cháng)光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力邁上新臺階。


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