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德州儀器宣布600億美元芯片制造投資計劃
來(lái)源:本站原創(chuàng )  瀏覽次數:254  發(fā)布時(shí)間:2025-06-19

2025年6月18日德州儀器(TI)高調宣布,將投入600億美元用于擴建其在美國得克薩斯州的兩個(gè)生產(chǎn)基地以及猶他州的一個(gè)基地。該公司還獲得了包括蘋(píng)果、福特、美敦力、英偉達和SpaceX等客戶(hù)以及美國商務(wù)部長(cháng)Howard Lutnick的背書(shū)。

實(shí)際上,這個(gè)引人注目的投資總額是現有投資的匯總,外加看似為得克薩斯州謝爾曼基地兩座新晶圓廠(chǎng)SM3和SM4新增的投資。在2021年11月最初宣布謝爾曼投資計劃時(shí),為四座晶圓廠(chǎng)的總投資潛力為300億美元。在今天的官方聲明中,謝爾曼四座晶圓廠(chǎng)的總投資額已提升至400億美元:包括SM1(已完工,預計今年開(kāi)始初步生產(chǎn))、SM2(外部結構現已完工),以及SM3和SM4(被指定為支持未來(lái)需求計劃的一部分)。

與此同時(shí),在2023年,TI宣布為其在猶他州李海的兩座晶圓廠(chǎng)投資110億美元,并額外投入900萬(wàn)美元與高山學(xué)區(Alpine School District)合作,以改善學(xué)生的機會(huì )和成果。今日,TI表示正在提升LFAB1的產(chǎn)能,這是該公司在李海的首座300毫米晶圓廠(chǎng);而第二座李海晶圓廠(chǎng)LFAB2的建設也進(jìn)展順利,該廠(chǎng)將與LFAB1相連。

最后,在得克薩斯州理查森,TI今日表示其第二座晶圓廠(chǎng)RFAB2正持續提升至滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài),該廠(chǎng)是建立在公司推出的全球首座300毫米模擬晶圓廠(chǎng)RFAB1的基礎之上。

TI總裁兼首席執行官Haviv Ilan在公司今天的新聞稿中表示:“TI正在大規模構建可靠、低成本的300毫米產(chǎn)能,以提供對幾乎各類(lèi)電子系統都至關(guān)重要的模擬和嵌入式處理芯片。蘋(píng)果、福特、美敦力、英偉達和SpaceX等領(lǐng)先的美國公司都依賴(lài)TI世界一流的技術(shù)和制造專(zhuān)長(cháng),我們很榮幸能與他們以及美國政府合作,共同釋放美國創(chuàng )新的未來(lái)?!?/p>

美國商務(wù)部長(cháng)Howard Lutnick對此表示支持并補充道:“特朗普總統已將增加美國半導體制造作為優(yōu)先事項——這包括用于人們日常電子產(chǎn)品的基礎半導體。我們與TI的合作關(guān)系將支持美國芯片制造未來(lái)數十年的發(fā)展?!?/p>

雖然今天的公告中僅包含蘋(píng)果、福特、美敦力和英偉達首席執行官們非常簡(jiǎn)短的引述,但SpaceX的背書(shū)提供了一些額外細節。SpaceX明確表示正越來(lái)越多地利用TI的高速工藝技術(shù),將其星鏈(Starlink)衛星互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)與TI在得克薩斯州謝爾曼制造的最新300毫米鍺硅(SiGe)技術(shù)相連接。

SpaceX總裁兼首席運營(yíng)官Gwynne Shotwell在準備好的聲明中表示:“SpaceX每天在美國本土制造數萬(wàn)套星鏈套件——并且我們正在印刷電路板(PCB)制造和芯片封裝方面進(jìn)行巨額投資以進(jìn)一步擴展。TI在美國制造的半導體對于確保我們產(chǎn)品的美國供應鏈至關(guān)重要,其先進(jìn)的硅制造能力提供了我們滿(mǎn)足全球高速互聯(lián)網(wǎng)日益增長(cháng)需求所需的性能和可靠性?!?/p>


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