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開(kāi)發(fā)應用于數據通信、移動(dòng)通信5G領(lǐng)域的25Gb/s激光器、探測器芯片及器件，實(shí)現產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)，提升支撐國家信息基礎建設的能力，實(shí)現100萬(wàn)只規?；瘧?。

1.發(fā)射芯片主要技術(shù)指標：傳輸速率~25GHz，邊摸抑制比>35dB，消光比>7dB；

2.接收芯片主要技術(shù)指標：3dB電帶寬>20GHz，響應度>0.7A/W，靈敏度<-12dBm。

鐵氧體片封裝材料

實(shí)現適合低溫燒結的高性能鐵氧體片材料產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)能可達200萬(wàn)m²/年，要求產(chǎn)品在

頻率100kHz—200kHz條件下具有高磁導

率、低損耗的特點(diǎn)。

1.復數磁導率（f=128kHz）:μ?=1000±20%、μ"≤20；

2.飽和磁化強度（f=128kHz、t=25℃、H=1200A/m）Bs≥300mT；

3.居里溫度：Tc≥95℃；

4.鐵氧體片厚度公差：T±5% （T=0.08~0.3mm）。

1.產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)5G智能手機用新型陶瓷材料及背板產(chǎn)品，至少為兩家主流智能終端用戶(hù)提供批量配套。

2.實(shí)現5G通信聲表面波器件用陶瓷封裝基座的批量化生產(chǎn)。擁有該陶瓷封裝基座完全自主知識產(chǎn)權，3年產(chǎn)量實(shí)現10億只。

1. 陶瓷材料：一次粒徑：≤80nm；粒度（D50）≤0.15μm；比表面積（BET）：（18±2）m2/g。

2. 背板:抗彎強度：≥1300MPa；維氏硬度：≥12GPa；介電損耗（3GHz～60GHz）:≤0.5%；斷裂韌性：7MPa·m1/2。

3.封裝基座：尺寸精度：（1.1±0.05）mm×（0.9±0.05）mm×（0.18±0.05）mm；單只翹曲度：≤30μm；電極共面性：≤10μm（芯片放置區域）。底部焊盤(pán)鍵合強度：用直徑0.13mm漆包銅線(xiàn)焊接焊盤(pán)后拉力值≥1.47N。

2020年實(shí)現磁阻傳感器在高檔數控機床和機器人、電力裝備以及海洋工程中的工程化產(chǎn)業(yè)化突破，解決高性能磁傳感器1/f噪聲以及加工工藝的瓶頸問(wèn)題，建設數字化生產(chǎn)線(xiàn)，形成≥5000萬(wàn)只/年生產(chǎn)能力。

1.掌握高性能磁傳感器設計及工藝、模組加工及工藝等技術(shù)，并實(shí)現產(chǎn)業(yè)化應用，建設數字化生產(chǎn)線(xiàn)，形成生產(chǎn)能力≥5000萬(wàn)只/年；

2.線(xiàn)性傳感器功耗≤10μA，本底噪聲≤100pT/Hz0.5@1Hz，靈敏度≥100mV/V/Oe，磁滯≤0.5Oe，5Oe≥飽和場(chǎng)≥1Oe，芯片封裝尺寸6.2mm×5mm×1.75mm；編碼器可實(shí)現最小分辨率0.0002°，絕對精度0.004°，支持SPI、PWM、ABI、UVW和PDI多輸出方式，核心磁敏組件封裝尺寸5mm×5mm×0.9mm。

形成智能型氮氧傳感器本體和控制器自主知識產(chǎn)權，建立試驗驗證測試條件；實(shí)現年產(chǎn)15萬(wàn)套批量生產(chǎn)能力。

突破動(dòng)植物、機器信息感知、決策智控、試驗檢測、計量檢測等基礎和關(guān)鍵共性技術(shù)；突破農用動(dòng)力機械、施肥播種機械、植保機械和收獲機械等機器運動(dòng)參數、作業(yè)狀態(tài)和質(zhì)量等計量檢測技術(shù)；擁有自主知識產(chǎn)權，實(shí)現農機作業(yè)環(huán)境與本體信息快速獲取傳感器及精準控制智能決策系統。

開(kāi)發(fā)土壤質(zhì)構、綜合肥力、喂入量與谷物流量等在線(xiàn)感知新型傳感器件8-10種；開(kāi)發(fā)施肥播種機械、植保機械和收獲機械等測控傳感器；適合環(huán)境溫度范圍-40℃～+85℃，在線(xiàn)、動(dòng)態(tài)檢測誤差滿(mǎn)足實(shí)際需求，防塵、防水、防震。產(chǎn)業(yè)化能力：具有精密傳感器和控制系統制造能力，農機專(zhuān)用傳感器生產(chǎn)能力達到5萬(wàn)套/年的生產(chǎn)、測試能力。傳感器誤差±3%以?xún)?，防護等級IP66、平均無(wú)故障時(shí)間5000小時(shí)以上。

1.建立年產(chǎn)60萬(wàn)片AMB基板（190mm×139mm)批產(chǎn)線(xiàn)，建立年產(chǎn)30萬(wàn)片(190mm×139mm)氮化硅陶瓷生產(chǎn)線(xiàn)。

2.實(shí)現國內2-3家新能源模塊、軌道交通IGBT模塊應用；2-3家智能電網(wǎng)IGBT模塊應用。

3.實(shí)現高純度、高α相氮化硅粉體連續、批量化生產(chǎn)，產(chǎn)品穩定性能達到世界先進(jìn)水平，產(chǎn)業(yè)化規?！?00噸/年。

4.掌握綠色制備高純度、高活性氮化硅陶瓷粉體生產(chǎn)技術(shù)，為更高檔次的氮化硅陶瓷提供可靠的原料保障。產(chǎn)業(yè)化規?！?0噸/年，產(chǎn)品性能與世界先進(jìn)水平相當。

1.新能源汽車(chē)、軌道交通和智能電網(wǎng)IGBT用高端AlN-AMB和Si3N4-AMB基板產(chǎn)品規格：190mm×139mm；剝離強度：≥15N/mm（50mm/min）；孔洞率：≤0.5%；線(xiàn)條精度：±0.15mm；最小線(xiàn)寬：0.7mm；晶粒尺寸：≤0.1mm；溫度循環(huán)：MIL-STD-88方法1010條件B，200次（典型產(chǎn)品）。

2.大尺寸氮化硅陶瓷及陶瓷基板：尺寸：190mm×139mm×0.32mm；抗彎強度≥600MPa；熱導率≥90W/m?k；翹曲度≤0.8%；表面粗糙度Ra≤0.7μm。

3.高純度、高α相氮化硅陶瓷粉體：α-Si3N4含量≥93%；氧含量≤1.5%；fSi≤0.1%；其它金屬雜質(zhì)含量≤0.1%；D50≤1μm。4.氨解法綠色制備高純度、高活性氮化硅陶瓷粉體：α-Si3N4含量≥93%；氮含量≥38%，氧含量≤1%；fSi≤0.1%；其它金屬雜質(zhì)含量≤0.1%；D50≤0.5μm。

實(shí)現自主知識產(chǎn)權的能源用系列高分子薄膜材料產(chǎn)業(yè)化，并應用于高效電池組及高密度儲能元器件，提高新能源使用水平。

1.開(kāi)發(fā)耐高溫高強度磺化聚芳醚腈質(zhì)子交換膜、蜂窩交聯(lián)結構高效質(zhì)子交換膜、鋰離子電池用聚合物基功能隔膜材料，開(kāi)展材料在電池組或儲能元器件上的應用驗證。

2.形成濕法隔膜及涂覆隔膜產(chǎn)品規?；a(chǎn)能力，產(chǎn)能≥4億平方米/年，產(chǎn)品滿(mǎn)足動(dòng)力電池用鋰離子隔膜材料技術(shù)指標要求：厚度公差（含涂層）±2.0μm，熱收縮（150℃，1h）MD≤3.0%、TD≤2.0%，平均孔徑≤0.2μm，孔隙率35～50%，穿刺強度≥30g/μm，拉伸強度MD≥150MPa、TD≥150MPa，吸液率≥80%，破膜溫度≥180℃。涂覆材料：Al₂O₃純度≥99.99%，比表面積4.0～6.0，D50 0.6～0.8μm，鐵含量＜10ppm。