2018年8月3日,科技部發(fā)布《關(guān)于國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“智能機器人”等重點(diǎn)專(zhuān)項2018年度項目申報指南的通知》(國科發(fā)資[2018]108號),包含智能機器人、現代服務(wù)業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及應用示范、可再生能源與氫能技術(shù)、綜合交通運輸與智能交通、網(wǎng)絡(luò )協(xié)同制造和智能工廠(chǎng)、核安全與先進(jìn)核能技術(shù)、制造基礎技術(shù)與關(guān)鍵部件7個(gè)重點(diǎn)專(zhuān)項。其中,10項先進(jìn)傳感器課題被列入“制造基礎技術(shù)與關(guān)鍵部件”專(zhuān)項中。
各個(gè)研究課題的研究?jì)热莺涂己酥笜司唧w如下:
1、高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術(shù)(基礎前沿技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯啃滦椭C振式硅傳感器敏感原理和結構;研究傳感器非線(xiàn)性效應、耦合效應、溫度效應及工藝誤差影響;研究傳感器優(yōu)化設計、制造工藝精確控制、低應力封裝等關(guān)鍵技術(shù);開(kāi)發(fā)閉環(huán)信號檢測與控制電路系統集成技術(shù);研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件,并在流程工業(yè)與機器人領(lǐng)域試用驗證。
考核指標:壓力傳感器量程0~1MPa,精度優(yōu)于0.01%FS;加速度傳感器量程±15g,零偏穩定性?xún)?yōu)于1μg;角速度傳感器量程±200°/s,零偏穩定性?xún)?yōu)于0.1°/h。
2、基于量子效應的微納傳感器前沿技術(shù)(基礎前沿技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯炕诹孔有男酒浇撬俣葌鞲衅?、磁?chǎng)傳感器設計方法;研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機理、溫度效應;研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關(guān)鍵技術(shù);開(kāi)發(fā)激光器、探測器、處理電路系統集成技術(shù);研制高精度角速度傳感器、磁場(chǎng)傳感器原型器件,并在重大技術(shù)裝備中試用驗證。
考核指標:角速度傳感器表頭體積≤100cm3,量程±200°/s,零偏穩定性?xún)?yōu)于0.1°/h;磁場(chǎng)傳感器表頭體積≤10cm3,靈敏度優(yōu)于10fT/Hz1/2。
3、無(wú)線(xiàn)無(wú)源微納傳感器前沿技術(shù)(基礎前沿技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯课⑿突暠砻娌ǎ?/span>SAW)、電感-電容(LC)無(wú)線(xiàn)傳感器設計;研究傳感器多參數敏感的耦合效應;研究傳感器結構優(yōu)化設計、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業(yè)環(huán)境無(wú)線(xiàn)信號傳輸等關(guān)鍵技術(shù);開(kāi)發(fā)信號調制解調技術(shù)及處理電路系統集成技術(shù);研制SAW和LC多參數檢測傳感器原型器件,并在燃氣輪機主軸、軸承健康狀況監測中試用驗證。
考核指標:SAW傳感器:溫度量程-40℃~+1000℃,誤差±1%;應變量程±3000με,誤差±1%;氣壓量程0~4MPa,誤差±1%。LC傳感器:溫度量程-20℃~+120℃,誤差±1%;應變量程±1000με,誤差±1%;振動(dòng)量程±6g,誤差±1%。
4、微納傳感器與電路協(xié)同設計技術(shù)及設計工具(共性關(guān)鍵技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩航?/span>/機械/電學(xué)多物理場(chǎng)耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環(huán)控制傳感器宏模型;研究具有完全自主知識產(chǎn)權、包含器件級、工藝級、系統級設計功能的微納傳感器綜合設計工具;研究微納傳感器與電路協(xié)同設計技術(shù),并實(shí)現與集成電路(LC)設計工具的無(wú)縫連接;形成集成傳感器知識產(chǎn)權(IP),IP經(jīng)過(guò)生產(chǎn)線(xiàn)驗證。
考核指標:器件級耦合分析自由度≥1*107;工藝級仿真與實(shí)驗偏差優(yōu)于5%;系統級仿真與實(shí)驗偏差優(yōu)于10%;閉環(huán)控制集成傳感器IP不少于3種,軟件銷(xiāo)售≥10套。
5、微納傳感器與電路單片集成工藝技術(shù)及平臺(共性關(guān)鍵技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯吭谕恍酒现圃煳⒓{傳感器與IC的工藝技術(shù);以互補-金屬-氧化物-硅(CMOS)工藝線(xiàn)為基礎,研究與CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關(guān)鍵技術(shù);建立可 量產(chǎn)的微納傳感器與電路單片集成制造技術(shù)并形成標準制程規范,實(shí)現單片集成微納傳感器規?;a(chǎn)。
考核指標:圓片直徑≥150mm,單片集成傳感器成品率≥80%,成套制程規范或標準≥3項;服務(wù)用戶(hù)數≥3家,開(kāi)發(fā)單片集成傳感器不少于3種,生產(chǎn)能力≥5000片/年,銷(xiāo)售單片集成傳感器≥100萬(wàn)只。
6、圓片級真空封裝及其測試技術(shù)于平臺(共性關(guān)鍵技術(shù)類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯课C電系統(MEMS)圓片級真空封裝設計技術(shù);研究圓片級多層布線(xiàn)、金屬和 絕緣薄膜平坦化技術(shù)、低溫鍵合、吸氣劑生長(cháng)及激活、真空測試等關(guān)鍵技術(shù);研究可量產(chǎn)的圓片級真空封裝技術(shù)并形成標準制程規范,實(shí)現多種器件規?;瘓A片級真空封裝。
考核指標:圓片直徑≥150mm,圓片級封裝真空度≤0.1Pa,漏率≤5.0*10-12Pa·m3/s,真空封裝成品率≥90%,真空封裝器件種類(lèi)≥3種;成套標準制程規范≥3個(gè),服務(wù)用戶(hù)數≥3個(gè),生產(chǎn)能力≥5000片/年,銷(xiāo)售量≥1萬(wàn)只。
7、高溫硅壓力傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應用(應用示范類(lèi))
研究?jì)热荩貉芯扛呖煽啃?/span>MEMS高溫硅壓力傳感器結構優(yōu)化技術(shù);研究低應力無(wú)引線(xiàn)封裝、溫度補償、高溫專(zhuān)用電路(ASIC)芯片等關(guān)鍵技術(shù);開(kāi)發(fā)測控接口電路;實(shí)現批量化生產(chǎn)并在重大技術(shù)裝備中應用。
考核指標:溫度范圍-55℃~+225℃,量程0~200kPa、0~60MPa,精度優(yōu)于0.25%FS,零點(diǎn)漂移優(yōu)于2%FS@100http://www.most.gov.cn/mostinfo/xinxifenlei/fgzc/gfxwj/gfxwj2018/201808/t20180803_141054.htm
項目申報指南可見(jiàn)附件。
附件:
“制造基礎技術(shù)與關(guān)鍵部件”重點(diǎn)專(zhuān)項2018年度項目申報指南(指南編制專(zhuān)家名單、形式審查條件要求)