中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
2022年1月15日，中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )通過(guò)視頻會(huì )議方式組織召開(kāi)了深圳市檳城電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“檳城電子”）“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過(guò)壓保護復合器件”、“5G基站設施用大功率半導體技術(shù)智能接地模塊”和“通信基站用BD122型無(wú)續流陶瓷氣體放電管”三項科技成果評價(jià)會(huì )。會(huì )議由中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )標準管理部主任章怡高級工程師主持，成果評價(jià)專(zhuān)家組以及檳城電子項目組成員等人參加了會(huì )議。
成果評價(jià)專(zhuān)家組首先聽(tīng)取了檳城電子電子以上三個(gè)項目的科技成果綜述，審查了相關(guān)資料，并進(jìn)行現場(chǎng)質(zhì)詢(xún)，項目組成員就相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了現場(chǎng)答辯。專(zhuān)家組成員視頻觀(guān)看了生產(chǎn)測試現場(chǎng)，最后給出了評價(jià)結果和結論。經(jīng)過(guò)詳細討論和嚴格審查之后，成果評價(jià)專(zhuān)家組一致認為“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過(guò)壓保護復合器件”項目技術(shù)達到國際先進(jìn)水平，“5G基站設施用大功率半導體技術(shù)智能接地模塊”項目技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平，“通信基站用BD122型無(wú)續流陶瓷氣體放電管”項目技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。
“基于TVS和TSS技術(shù)的電源過(guò)壓保護復合器件”項目技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)主要有：1） 產(chǎn)品內部結構電路為雙向TVS與單向TSS并聯(lián)，正向浪涌保護為TVS，反向浪涌保護為TSS與TVS；2）采用標準封裝體積（18.3mm*14mm*7mm）的半導體 TVS+TSS 組合器件，能耐受在 95°C 高溫烘箱中 10kA 雷擊±5 次 8/20μs 測試；3） 能夠達到反向 75V 的 TSS，8/20μs 雷擊殘壓規格標稱(chēng)尖峰殘壓小于 150V，平臺殘壓小于 15V。
“5G基站設施用大功率半導體技術(shù)智能接地模塊”項目技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)主要有：1）對超薄大尺寸半導體放電管（TSS）芯片進(jìn)行了創(chuàng )新性應用，解決了原電池反應產(chǎn)生的電化學(xué)腐蝕及接地連續性問(wèn)題；2） 開(kāi)發(fā)了大尺寸大功率TSS芯片的陶瓷封裝新技術(shù)，解決了大功率通流及密封性問(wèn)題；3）開(kāi)發(fā)了TSS芯片的石墨覆銅及封裝應力限制技術(shù)，實(shí)現了大尺寸芯片高低溫循環(huán)沖擊1000次的高可靠性。
“通信基站用BD122型無(wú)續流陶瓷氣體放電管”項目技術(shù)創(chuàng )新點(diǎn)主要有：1） 疊層封裝，提高產(chǎn)品弧光電壓，解決了續流問(wèn)題；2） 在保證8/20μs 20kA、10/350μs 4kA通流能力的情況下，實(shí)現了板載片式化、小型化；3） 和同等通流能力的同類(lèi)產(chǎn)品相比，實(shí)現了較低的殘壓水平（VPR≤900V）。
