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東芝推出高速導通小型光繼電器,可縮短半導體測試設備的測試時(shí)間
來(lái)源:電子元件技術(shù)  瀏覽次數:227  發(fā)布時(shí)間:2025-02-20

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現有產(chǎn)品更快的導通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

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新型光繼電器通過(guò)提高輸入側紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器(光電二極管陣列)的設計,可實(shí)現高效的光耦合,將導通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時(shí)間比東芝現有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導通時(shí)間比東芝現有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。 


此外,當輸出打開(kāi)時(shí),這兩款產(chǎn)品的導通電阻會(huì )影響信號衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當輸出關(guān)閉時(shí),輸出電容會(huì )影響高頻信號泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現有產(chǎn)品[2]相當,確保了穩定的信號傳輸。


新產(chǎn)品適用于半導體測試設備中的引腳電子[3]應用,可在開(kāi)關(guān)信號的同時(shí)以高精度高速測量待測設備(DUT)。


新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實(shí)現半導體測試設備和其他設備的小型化。


東芝將繼續提供更多高性能產(chǎn)品,以滿(mǎn)足半導體測試設備對更高性能和更快速度的需求。


*應用:

-半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)

-探測卡

-測量設備


*特性:

-高速導通時(shí)間:tON=150 μs(最大值)

-低導通電阻:

TLP3414S RON=3 Ω(最大值)

TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)

-小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)


*主要規格:

(除非另有說(shuō)明,Ta=25 °C)


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