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近日，來(lái)自芬蘭的研究團隊在"Laser and Photonics Reviews"報道了基于GaSb/GaInAsSb量子阱和LIGENTEC低損耗Si3N4光子集成光路反射腔的寬調諧（2.47-2.64微米）混合激光器。

“使用氮化硅波導平臺制造的光子集成光路在從可見(jiàn)光延伸到2微米以上的寬波長(cháng)區域表現出低損耗。利用這一特點(diǎn)，我們展示了一個(gè)高性能的集成激光器，在2.6微米的波長(cháng)區域附近表現出廣泛的波長(cháng)可調性。該激光器是基于一個(gè)氮化硅光子集成光路，包含一個(gè)可調諧的反射器和一個(gè)AlGaInAsSb/GaSb量子阱增益元件。我們展示了該激光器170納米（2474-2644納米）的波長(cháng)調諧范圍和室溫下最大功率為6.4毫瓦的單模連續工作，這是有史以來(lái)基于光集成芯片的可調諧激光器所報道的超過(guò)2.1微米的最高連續輸出功率和超過(guò)1.7微米的最寬調諧范圍。該性能是通過(guò)利用在氮化硅中實(shí)現的幾個(gè)基本構件來(lái)實(shí)現的，即低損耗的Y型支管，倒錐，和一個(gè)自由光譜范圍≈160納米的雙環(huán)諧振器。此外，使用LIGENTEC氮化硅波導探索了波長(cháng)覆蓋的極限，并表明該平臺支持低傳播損耗至3.5微米。最后，我們分析了在氮化硅和GaSb波導之間實(shí)現改進(jìn)的模式匹配的可能性，可以進(jìn)一步提高這種混合激光平臺的性能，并支持波長(cháng)擴展到3微米以上?！?br/>
??本文首次展示了2.6微米波長(cháng)區域的Si3N4-GaSb混合激光器，它利用兩個(gè)熱可調微環(huán)諧振腔MRR之間的游標效應作為波長(cháng)過(guò)濾和調諧機制?；旌霞す馄鞯墓ぷ麟妷簽?.7V，注入電流為300mA，這表明基于GaSb的集成平臺適合于低功耗的應用，如可穿戴式傳感器。

該混合激光器包括一個(gè)基于GaSb的反射式半導體光放大器（RSOA），在2.47-2.64微米的波長(cháng)區域提供增益。RSOA的p面朝下粘接在一個(gè)AlN子座上，并與一個(gè)氮化硅芯片邊緣耦合，它由一個(gè)電阻可調的雙環(huán)諧振器組成。該光路有一個(gè)移相器，允許PIC與RSOA進(jìn)行相位匹配。RSOA和PIC的表面有抗反射（AR）涂層，以減少寄生反射并最大限度地提高傳輸。