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“光刻膠全干法轉印”工藝賦能柔性電子器件可靠制造
來(lái)源:麥姆斯咨詢(xún)  瀏覽次數:236  發(fā)布時(shí)間:2023-06-26

近日,湖南大學(xué)段輝高教授團隊通過(guò)開(kāi)發(fā)基于“光刻膠全干法轉印”技術(shù)的新型光刻工藝,用于柔性及不規則(曲面、懸空)襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造,為高精度、高可靠性和高穩定性柔性電子器件的制造提供新思路。相關(guān)論文以題為Dry-Transferrable Photoresist Enabled Reliable Conformal Patterning for Ultrathin Flexible Electronics發(fā)表在國際頂級期刊《Advanced Materials》雜志上。

硅基光刻技術(shù)具有高分辨率、高精度、易于集成和高通量等優(yōu)點(diǎn),已成為制造微電子器件的主要工藝之一。然而,硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應用受到材料兼容性等問(wèn)題的限制,因此需要新的制造工藝來(lái)滿(mǎn)足柔性電子器件的制造需求。該團隊開(kāi)發(fā)出一種 “光刻膠全干法轉印”新型光刻工藝,該工藝的關(guān)鍵在于開(kāi)發(fā)了一種環(huán)保型(水基)可轉印光刻膠材料,光刻膠具有對紫外光(UV)和電子束(EBL)輻照的雙重敏感性,可用于制造多尺度圖案。通過(guò)精準調控光刻膠材料表面能及轉移參數,從而實(shí)現高分辨、高密度、跨尺度光刻膠結構在硅基襯底上的脫附,并將其無(wú)損轉移到柔性聚合物或不規則襯底上。利用光刻膠結構作為掩膜圖案,結合金屬沉積工藝和Lift-off工藝,可以實(shí)現柔性、不規則襯底上電子元器件的原位和保形制造。這種工藝具有高效、環(huán)保、低成本等特點(diǎn),有望滿(mǎn)足現代柔性電子器件對高精度、高可靠性和高穩定性的要求。


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環(huán)保型可轉印光刻膠材料的開(kāi)發(fā)及工藝流程


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高分辨、高密度、跨尺度光刻膠結構干法轉印及可延展電子圖案制造展示


該工作得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金創(chuàng )新群體項目以及研究院微納制造與檢測平臺的支持。論文通訊作者為段輝高教授,第一作者為陳雷博士。

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