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東芝推出能降低插入損耗,改善高頻信號傳輸特性的小型光繼電器
來(lái)源:本站原創(chuàng )  瀏覽次數:415  發(fā)布時(shí)間:2023-10-19

東芝推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器"TLP3475W"。TLP3475W采用厚度僅為0.8mm(典型值)的小巧纖薄的WSON4封裝,是目前業(yè)界最小的[3]光繼電器,其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%,且支持在同一電路板上貼裝更多產(chǎn)品,將有助于提高測量效率。

中國上?!獤|芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社(“東芝”)今日宣布,推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的光繼電器"TLP3475W"。它可以降低高頻信號中的插入損耗,并抑制功率衰減[1],適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現高速信號傳輸的半導體測試設備的引腳電子器件。

TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設計,這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz(典型值)[2]——與東芝現有產(chǎn)品TLP3475S相比,插入損耗降低了約1/3[2]。
應用
●   半導體測試設備(高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)
●   探測卡
●   測量設備
 特性
●   業(yè)界最小的[3]WSON4封裝:1.45mm×2.0mm(典型值),厚度=0.8mm(典型值)
●   改善高頻信號的傳輸:當插入損耗(S21)=–3dB時(shí),f=20GHz(典型值)
●   常開(kāi)功能(1-Form-A)
注:
[1]當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬(wàn)兆赫茲時(shí)。
[2]信號通過(guò)輸出MOSFET時(shí)功率衰減比(插入損耗)為–3dB的頻段。
[3]適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調查。 
該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。東芝將繼續擴大其產(chǎn)品線(xiàn),為更高速和更強大功能的半導體測試設備提供支持。

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