中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
近日，暨南大學(xué)盧惠輝教授，關(guān)賀元教授和楊鐵鋒副教授團隊提出了將鐵電材料LiNbO3的偏振敏感特性和半導體MoS2的強光與物質(zhì)相互作用結合起來(lái)的異質(zhì)集成策略，實(shí)現了寬帶、偏振敏感和自驅動(dòng)的高性能光探測，為基于LiNbO3的高性能光電探測提供了一種可行的思路。相關(guān)成果以題為“Broadband, Polarization-Sensitive, and Self-Powered High-Performance Photodetection of Hetero-Integrated MoS2 on Lithium Niobate”發(fā)表在Research上。
研究背景
高性能光電探測器在各種領(lǐng)域中具有巨大的應用潛力，例如光通信、光學(xué)成像、醫療診斷和環(huán)境監測。近年來(lái)，二維材料特別是層狀過(guò)渡金屬硫族化合物（TMDCs）因其優(yōu)異的光電性能在集成光電探測器領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。其中MoS2具有較弱的暗電流、高穩定性、可調節的帶隙、高載流子遷移率和在可見(jiàn)光波段具有強的光吸收的特點(diǎn)，代表著(zhù)最可靠的、具有優(yōu)異光電特性的二維層狀半導體，常被用于構建光電探測器、場(chǎng)效應晶體管和突觸晶體管等光電器件。然而傳統的MoS2探測器通常需要額外的工作電壓來(lái)驅動(dòng)光生載流子的定向運動(dòng)來(lái)形成光電流，并且探測波段受到半導體帶隙的限制，且MoS2固有的各向同性使該類(lèi)器件的偏振靈敏特性可忽略不計，這些都阻礙了MoS2光電探測器向低功耗、寬帶和偏振靈敏的方向發(fā)展。
研究進(jìn)展
該團隊構思并構建了MoS2/ LiNbO3異質(zhì)結光電探測器（圖1），以有效地克服上述挑戰。LiNbO3是一種性能優(yōu)異的鐵電晶體，具有高熱釋電系數、強光折變效應、寬透光范圍和高居里溫度的優(yōu)點(diǎn)，目前已廣泛應用于光源、調制器、光頻梳等集成光電器件中。MoS2/ LiNbO3光電探測器受到光照后LiNbO3的局部溫度升高，導致自發(fā)極化強度降低，鐵電極化對LiNbO3表面電荷的束縛能力減弱，因此空穴和電子沿z方向兩側注入MoS2溝道，從而調制溝道中載流子的分布并形成內部電場(chǎng)，驅動(dòng)光生載流子定向移動(dòng)，實(shí)現了自驅動(dòng)的快速光響應（≈ 20 ms/40 ms）以及高開(kāi)關(guān)比（≈ 190）（圖2）。
圖1 MoS2/ LiNbO3異質(zhì)集成光電探測器件結構示意圖和材料表征
圖2 自驅動(dòng)模式下原始LiNbO3和MoS2/ LiNbO3光電探測器的光致開(kāi)關(guān)特性
同時(shí)，得益于LiNbO3在寬波段內的熱釋電效應，MoS2帶隙對探測范圍的限制被打破，從而將探測器的響應帶寬拓展到365-1064 nm（圖3）。另一方面，MoS2的高載流子遷移率使其可以作為L(cháng)iNbO3襯底的導電溝道，并且MoS2良好的光吸收率增強了器件整體的光與物質(zhì)相互作用，有效彌補了原始LiNbO3器件低導電性和較大帶隙的絕緣體特性。MoS2/ LiNbO3異質(zhì)集成使兩種材料的優(yōu)勢得到充分的互補與利用，有助于提高整個(gè)異質(zhì)結器件的綜合性能，使器件獲得了高的靈敏度（R = 17.3 A W-1，D* = 4.3×1011 Jones，EQE = 4645.78%）（圖3），并取得了快速的光響應（≈ 150 μs/250 μs）（圖4），彰顯了MoS2/LiNbO3異質(zhì)結器件優(yōu)異的光電探測能力。
圖3 MoS2/ LiNbO3異質(zhì)集成光電探測器件的光響應特性
圖4 MoS2/ LiNbO3異質(zhì)集成光電探測器件的光致開(kāi)關(guān)特性
更有趣的是，鐵電晶體LiNbO3由于其各向異性的晶體排列而對偏振光敏感。受到激光照射后，LiNbO3晶體中電荷會(huì )發(fā)生空間分離，由此產(chǎn)生的內部電場(chǎng)可實(shí)現對折射率的調制，這種光折變效應使得各向異性L(fǎng)iNbO3具有偏振敏感特性，具有偏振角依賴(lài)性的熱釋電電荷會(huì )注入MoS2通道，從而將偏振探測能力遺傳到異質(zhì)結探測器上，使器件在自驅動(dòng)模式下獲得高達7.42的二向色性比（圖5）。
圖5 LiNbO3誘導MoS2/ LiNbO3光電探測器偏振響應示意圖
未來(lái)展望
MoS2/LiNbO3異質(zhì)結光電探測器不需要高能離子注入或表面量子點(diǎn)修飾等復雜的加工手段，而是通過(guò)PDMS輔助干法轉移工藝將機械剝離的MoS2薄膜與LiNbO3異襯底完成范德華異質(zhì)集成，從而實(shí)現自發(fā)極化材料LiNbO3異的熱釋電特性和半導體MoS2優(yōu)異的光電性能的結合。該項工作進(jìn)一步探究了鐵電晶體對提高光電微納器件探測性能所起的作用，是一種獲得兼具成本效益和高性能的寬帶偏振靈敏光電探測器的可行策略。
作者簡(jiǎn)介
盧惠輝，教授，暨南大學(xué)光電工程系主任、所長(cháng)。國家一流本科專(zhuān)業(yè)負責人，廣東省杰出青年基金和“特支計劃”青年拔尖人才獲得者。長(cháng)期從事光波導與微納光電器件的研究工作，在Light、Nano Letters、Laser Photonics & Reviews等頂級刊物發(fā)表100余篇學(xué)術(shù)論文。主持國家重大專(zhuān)項項目和課題3項、國家自然科學(xué)基金3項等。
聯(lián)系方式：thuihuilu@jnu.edu.cn
關(guān)賀元，教授，暨南大學(xué)理工學(xué)院光電工程研究所所長(cháng)，《光學(xué)學(xué)報》青年編委，廣東省光學(xué)學(xué)會(huì )光學(xué)薄膜專(zhuān)業(yè)委員會(huì )副主任，中國光學(xué)學(xué)會(huì )光學(xué)材料青年委員會(huì )委員等。主要面向國家重大工程的需求，聚焦光與薄膜/光柵相互作用機理，研究薄膜/光柵對“光-電”協(xié)同作用的增強效應及其光電器件。已發(fā)表SCI論文100余篇，其中一區或學(xué)科權威期刊近20篇，擁有授權發(fā)明專(zhuān)利6項。主持國家級項目6項（國家科技專(zhuān)項項目3項，國家自然科學(xué)基金項目3項），省部級項目6項以及廳局級項目3項。
聯(lián)系方式：ttguanheyuan@jnu.edu.cn
楊鐵鋒，副教授，主要從事面向“片上集成”的微納光電功能器件的研究，共發(fā)表學(xué)術(shù)論文20余篇，含兩篇高被引，包括Nat. Nanotechnol, Nat. Commun, Sci. Adv., ACS Nano, JACS, Nano Lett., Adv. Mater., Adv. Funct. Mater., Adv. Sci.等，總引用次數超過(guò)1500余次。主持國家級、省部級和廳局級自然科學(xué)基金4項。
聯(lián)系方式：yangtiefeng2022@jnu.edu.cn
