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中國科大在短波紅外單光子激光雷達領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
來(lái)源:麥姆斯咨詢(xún)  瀏覽次數:333  發(fā)布時(shí)間:2023-12-12

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)王亮教授團隊和問(wèn)天量子有限公司合作研發(fā)的短波紅外單光子激光雷達取得重大進(jìn)展。研究團隊通過(guò)全自主研發(fā)的單光子探測器芯片,匹配讀出電路,結合全光纖激光雷達,開(kāi)發(fā)了全天候、大掃描角度的激光雷達成像系統,為短波紅外單光子成像及其核心芯片制備提供了開(kāi)創(chuàng )性的方法。


相關(guān)成果以“Single-Photon Depth Imaging Using a Photodetector With a Wire-Bonding Quenching Resistor”為題,發(fā)表在探測器領(lǐng)域的知名期刊IEEE Sensors Journal上。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)光學(xué)與光學(xué)工程系王亮教授為該論文的通訊作者,博士研究生劉英見(jiàn)為該論文的第一作者。


單光子激光雷達技術(shù)在遙感、自動(dòng)駕駛、無(wú)人機導航等領(lǐng)域中扮演著(zhù)關(guān)鍵角色。該技術(shù)利用時(shí)間相關(guān)單光子計數技術(shù)(TCSPC),能夠實(shí)現超高分辨率和長(cháng)距離目標探測,具有巨大的潛力,在軍事、航空航天、環(huán)境監測等領(lǐng)域中得到廣泛應用。其中,大氣傳輸性能好、人眼安全的1550 nm波段的激光雷達更是目前研究的重點(diǎn)。


研究團隊在芯片封裝過(guò)程中通過(guò)金絲鍵合淬滅電阻的方式,使得InGaAs單光子探測器在優(yōu)化過(guò)的讀出電路下,以較為良好的光電性能工作在自由運行模式。


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圖1 集成了微透鏡和DBR的單光子探測器


該單光子探測模塊在243 K工作溫度以及5 μs死時(shí)間下,實(shí)現了3.96%的低后脈沖概率以及0.9 KHz的暗計數率。同時(shí),該模塊在激光雷達系統中,以較低的脈沖激光功率(5 mW@40 KHz)實(shí)現了在霧天3 km的深度成像。并且研究團隊實(shí)現了從激光雷達的核心芯片、讀出電路,到整個(gè)激光雷達系統的全國產(chǎn)化自主開(kāi)發(fā),對推動(dòng)國內短波紅外遠距離單光子激光雷達有著(zhù)重要的意義。


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圖2 單光子激光雷達系統以及成像結果


本項研究得到安徽省科技廳的資助,也得到了中國科大物理學(xué)院、中國電子科技集團第38研究所、中國科大微納研究與制造中心、中國科學(xué)院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗室的支持。

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