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TFLN 技術(shù)加持,聯(lián)特科技 800G 光模塊助力數據中心降本增效
來(lái)源:本站原創(chuàng )  瀏覽次數:4335  發(fā)布時(shí)間:2024-04-01

武漢聯(lián)特科技股份有限公司(下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)特科技”)推出最新產(chǎn)品 - 基于薄膜鈮酸鋰 (TFLN) MZM 的 800G 2DR4 光模塊。該創(chuàng )新解決方案憑借超高帶寬和顯著(zhù)降低的功耗,有望成為業(yè)界發(fā)展的新方向。 

??近年來(lái),TFLN 技術(shù)因其在保持低功耗的同時(shí),可實(shí)現更快數據傳輸速度的潛力而備受關(guān)注。通過(guò)推出 800G 2DR4 光模塊,聯(lián)特科技充分展現了其致力于提供滿(mǎn)足客戶(hù)需求的前沿解決方案的承諾。該款模塊的功耗僅為 12W,相比業(yè)界常用的 EML 模塊低 2W,展現了較低的功耗優(yōu)勢。 

??此外,聯(lián)特科技已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)下一代 TFLN 技術(shù),其帶寬有望超越 110GHz。這體現了公司對創(chuàng )新和持續改進(jìn)的重視。隨著(zhù)基于 TFLN 技術(shù)的光模塊不斷發(fā)展,它們將在未來(lái) 200G/lane 甚至 400G/lane 領(lǐng)域扮演重要角色。

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