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艾為電子推出低導通阻抗高可靠性鋰電池充電保護MOSFET
來(lái)源:電子元件技術(shù)  瀏覽次數:3478  發(fā)布時(shí)間:2024-04-29

 艾為電子推出低導通阻抗高可靠性鋰電池充電保護MOSFET——AW401005QCSR,該產(chǎn)品是一款專(zhuān)為手機鋰電池充電保護設計的共漏極雙MOSFET器件,可適用于33W至100W手機充電功率的應用。

產(chǎn)品規格主要參數

Package:CSP-10L
BVss >12V

BVgs >±8V
Rss(on) typ. 2.2mΩ(Vgs 4.5V)
2kV ESD HBM
WLCSP 2.98mm*1.49mm*0.11mm-10L


該產(chǎn)品特別使用了艾為第四代CSP抗水汽結構,極大程度地解決了以往CSP芯片貼板后容易在高溫水汽環(huán)境下的失效問(wèn)題,現已通過(guò)客戶(hù)端的可靠性驗證。

產(chǎn)品主要優(yōu)勢

AW401005QCSR具備優(yōu)異的參數平衡性,兼顧應用場(chǎng)景的廣泛性與器件的可靠性。在相同環(huán)境下,AW401005QCSR與市面競品從導通電阻、耐壓(漏電)、開(kāi)關(guān)速度、雪崩電流,雪崩能量幾個(gè)維度進(jìn)行賽馬,歸一化得分表如下圖所示,艾為藍色線(xiàn)框為AW401005QCSR,灰色點(diǎn)線(xiàn)框為市面競品,可以看出AW401005QCSR在各維度都表現優(yōu)秀。

在相同環(huán)境下,測試AW401005QCSR與市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品的反向充電保護時(shí)間,AW401005QCSR以72.1μs的時(shí)長(cháng)通過(guò)測試。

在相同環(huán)境下,測試AW401005QCSR與市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品的反向充電極限電壓,AW401005QCSR可承受近18.5V的高壓,優(yōu)于市場(chǎng)同類(lèi)產(chǎn)品。

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