中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
長(cháng)光辰芯發(fā)布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是長(cháng)光辰芯線(xiàn)陣芯片GL中的全新子系列，是基于長(cháng)方形像素尺寸設計的線(xiàn)陣圖像傳感器。GLR1205BSI-S作為該系列的首款產(chǎn)品，將助力長(cháng)光辰芯開(kāi)辟更多應用領(lǐng)域，例如點(diǎn)激光位移傳感器，光譜測量，光學(xué)相干斷層掃描（OCT）等。GLR系列會(huì )陸續推出更多產(chǎn)品以滿(mǎn)足多樣化的市場(chǎng)需求。
GLR1205BSI-S像素尺寸為12.5μm(H) x 250μm(V)，分辨率512(H) x 1(V)。具備高滿(mǎn)阱、高靈敏度、高量子效率、小尺寸等特點(diǎn)。憑借先進(jìn)的背照式工藝，GLR1205BSI-S在650nm波長(cháng)下可提供近50%的量子效率，以及95%的峰值量子效率，為點(diǎn)激光位移傳感器提供了理想的解決方案，適用于精密零部件測量、薄膜厚度測量、汽車(chē)制造、食品加工等各類(lèi)制造業(yè)中。如下所示為GLR1205BSI-S芯片在200nm—1100nm的量子效率曲線(xiàn)。
憑借250μm(V)的大像素尺寸，不僅為芯片提供了高達3000ke-的滿(mǎn)阱容量和64.7dB的最大信噪比, 也提升了芯片感光靈敏度，以便于用戶(hù)在設備裝調時(shí)進(jìn)行光斑對準。得益于創(chuàng )新的像素設計，GLR1205BSI-S具備僅2.5μs電荷轉移時(shí)間，用戶(hù)無(wú)需擔心lag性能。
上述優(yōu)勢使其能夠用于各種光照條件下的測量場(chǎng)景，實(shí)現被測物表面的精準探測，提高設備的測試準確度和精度，提升測量效率。
芯片采用模擬信號輸出，用戶(hù)可以基于MCU模塊進(jìn)行圖像數據處理。芯片全速運行狀態(tài)下提供9.43kHz行頻，而功耗僅為90mW，芯片發(fā)熱量小，可穩定進(jìn)行長(cháng)時(shí)間測試工作。
芯片封裝采用緊湊的CSP形式，封裝尺寸僅為7.39mm x 1.15mm，相較于市面同類(lèi)型產(chǎn)品尺寸更小，有利于用戶(hù)產(chǎn)品體積的進(jìn)一步小型化，降低整體設備成本，靈活使用于各個(gè)測量場(chǎng)景中。
