中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
波長(cháng)連續調諧（掃頻）垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）在光學(xué)相干層析成像（OCT）、調頻連續波（FMCW）激光雷達、智能制造等領(lǐng)域有重要應用。在這些應用中，對可調諧VCSEL進(jìn)行功率監測至關(guān)重要。此外，VCSEL具有單縱模、低功耗、易于二維陣列集成等優(yōu)點(diǎn)，是垂直集成光子系統的理想光源。在未來(lái)用于人工智能（AI）和傳感等領(lǐng)域的三維垂直集成光子系統中，具有寬帶波長(cháng)調諧和集成功率監測功能的VCSEL是關(guān)鍵器件。
可調諧微機電系統（MEMS）-VCSEL是理想的寬帶波長(cháng)調諧激光光源，通過(guò)靜電吸引或者電熱效應移動(dòng)MEMS可調諧反射鏡，改變腔長(cháng)實(shí)現波長(cháng)調諧。實(shí)現集成功率監測功能對于可調諧MEMS-VCSEL極具挑戰。通常在VCSEL的n型分布布拉格反射鏡（DBR）一側集成光電探測器（PD）監測輸出功率，但是會(huì )降低可調諧MEMS-VCSEL的波長(cháng)調諧性能，增加器件制作的難度。而在可調諧MEMS-VCSEL的有源區p側引入PD結構，也會(huì )降低器件的輸出功率和波長(cháng)調諧性能。
近日，中國科學(xué)院半導體研究所鄭婉華院士團隊劉安金研究組在集成功率監測功能的可調諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展。劉安金研究組在2022年采用一種新器件結構和新制作工藝實(shí)現單模MEMS-VCSEL的基礎上，近期報道了一種集成PD的可調諧MEMS-VCSEL，器件結構如圖1所示。在該器件中的MEMS可調諧亞波長(cháng)光柵（HCG）反射鏡和DBR構成垂直腔，MEMS可調諧反射鏡在反偏壓作用下改變垂直腔腔長(cháng)，調諧激射波長(cháng)；同時(shí)，有源區上側n-i-p型MEMS結構（即PD結構）的i型犧牲層吸收腔內散射光，實(shí)現對輸出光功率的監測，但不降低MEMS-VCSEL的波長(cháng)調諧性能。
圖1（a）集成PD的可調諧MEMS-VCSEL的SEM圖；（b）器件外延結構及摻雜示意圖
測試結果顯示，該可調諧MEMS-VCSEL在室溫下實(shí)現了27nm的波長(cháng)調諧范圍，如圖2所示，與設計結果吻合。盡管集成PD的材料帶隙能量大于激光光子能量，但是基于光輔助Shockley-Read-Hall機制，集成PD可以在不降低器件的波長(cháng)調諧性能和輸出光功率的情況下，實(shí)現對器件輸出光功率的監測，如圖3所示。器件還可作為諧振腔增強光電探測器，并在926nm波長(cháng)處獲得最大響應度。該工作為實(shí)現可調諧MEMS-VCSEL集成功率監測功能提供了一種新思路。
圖2（a）在1.0mA連續電注入條件下，集成PD的可調諧MEMS-VCSEL在不同調諧電壓下的光譜圖；（b）不同調諧電壓下的基模波長(cháng)
圖3（a）集成PD的可調諧MEMS-VCSEL的光功率-電流-集成PD光電流曲線(xiàn)；（b）集成PD光電流-光功率曲線(xiàn)
相關(guān)研究結果以Detector-integrated vertical-cavity surface-emitting laser with a movable high-contrast grating mirror為題，發(fā)表在《光子學(xué)研究》（Photonics Research）期刊上，中國科學(xué)院半導體研究所博士生王鳴祿為論文第一作者，劉安金研究員為論文通訊作者。該工作得到了鄭婉華院士的悉心指導，還得到了國家自然科學(xué)基金項目的資助。
