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2024年8月15日，長(cháng)光辰芯發(fā)布時(shí)間延遲積分（TDI）CMOS圖像傳感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增強版本。產(chǎn)品采用先進(jìn)的背照式技術(shù)，在GLT5009BSI可見(jiàn)光版本的基礎上，DUV版本極大提升了UV范圍的靈敏度，結合GLT5009BSI固有的高分辨率、高靈敏度、高動(dòng)態(tài)范圍、寬光譜響應、低噪聲等優(yōu)異性能，DUV版本的應用領(lǐng)域進(jìn)一步得到拓展，為半導體晶圓缺陷檢測、半導體材料缺陷檢測等應用提供更高效率、精準的檢測支持。

目前，在半導體晶圓檢測系統中大多使用266nm的激光器。為了應對266nm下的晶圓檢測需求，長(cháng)光辰芯在GLT5009BSI可見(jiàn)光版本的基礎上，通過(guò)優(yōu)化晶圓表面像素層ARC膜系的結構，提升TDI傳感器在DUV譜段的響應，使其在266nm波段的量子效率可達50%以上。GLT5009BSI-DUV版本的芯片，不僅其極高的行頻保證了檢測效率，同時(shí)也使得檢測系統具有更高的靈敏度。

DUV版本與可見(jiàn)光版本一樣，采用5μm像素設計，水平分辨率為9072像素，芯片具有兩個(gè)積分譜段，其TDI積分級數分別為256級和32級，用戶(hù)可以根據其使用要求進(jìn)行選擇。GLT5009BSI-DUV具有16ke-的滿(mǎn)阱以及6e-的讀出噪聲，其單幅動(dòng)態(tài)范圍達68dB，該芯片也可同時(shí)輸出兩個(gè)譜段進(jìn)行高動(dòng)態(tài)合成，進(jìn)一步提升動(dòng)態(tài)范圍。該芯片還針對強光溢出問(wèn)題進(jìn)行了優(yōu)化，其抗光暈能力可達到100x。

GLT5009BSI-DUV版本保持了可見(jiàn)光版本的高行頻特性，芯片最高可以輸出608kHz@10bit以及300kHz@12bit的行頻，芯片還支持片上2x2像素合并，在不損失行頻的基礎上，進(jìn)一步提升靈敏度。

GLT5009BSI-DUV版本封裝信息與可見(jiàn)光版本相同，在可見(jiàn)光版本的基礎上， 用戶(hù)無(wú)需改變任何硬件和軟件設計，即可快速集成DUV版本的芯片。DUV產(chǎn)品即日起接受訂購。