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三菱電機集團近日宣布，將從2024年10月1日起開(kāi)始提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管（PD）芯片樣品，以支持800Gbps和1.6Tbps光纖通信。三菱電機的光學(xué)設備陣容中增加了新的接收器芯片，將使傳輸速度為800Gbps/1.6Tbps的現有設備能夠以相同的速度接收新的光數據，從而擴大光收發(fā)器的通信容量，從而有助于提高數據中心內的通信速度和容量。


在物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)發(fā)展的背景下，隨著(zhù)連接到網(wǎng)絡(luò )的終端數量的增加、高分辨率視頻流的擴展以及生成式人工智能技術(shù)的普及，數據通信量呈指數級增長(cháng)，對網(wǎng)絡(luò )速度和容量的需求比以往任何時(shí)候都更加迫切。特別是在市場(chǎng)增長(cháng)迅速的數據中心，通信速度正在從400Gbps向800Gbps甚至1.6Tbps轉變。光纖收發(fā)器面臨的挑戰是，在用于發(fā)射的光學(xué)設備中，產(chǎn)品可支持下一代800Gbps和1.6Tbps，而在用于接收的光學(xué)設備中，滿(mǎn)足性能要求的產(chǎn)品較少。


繼三菱電機于2023年4月推出用于光傳輸的芯片200Gbps（112Gbaud四電平脈沖幅度調制[PAM4]）電吸收調制器激光二極管（EML）之后，即將推出用于光接收的200Gbps PIN-PD芯片。利用多年來(lái)在光學(xué)器件設計和制造中積累的專(zhuān)門(mén)知識，三菱電機開(kāi)發(fā)了一種新的PD芯片，通過(guò)采用背面入射結構和凸透鏡集成結構，盡可能縮小光電轉換區域，從而實(shí)現高速傳輸。


產(chǎn)品特點(diǎn)


集成了背面入射和凸透鏡結構，用于數據中心的高速、大容量通信

該芯片結構集成了背面入射和聚光凸透鏡，最大限度地減小了光電轉換面積，實(shí)現低電容，可達到200Gbps高速傳輸（112Gbaud PAM4），是傳統主流產(chǎn)品（100Gbps）的兩倍。

配備4個(gè)新型PD芯片的光收發(fā)器可實(shí)現800Gbps通信，8個(gè)芯片可實(shí)現1.6Tbps通信，為高速、大容量數據中心做出貢獻。

使光收發(fā)器的組裝效率更高，制造成本更低

與傳統結構相比，凸透鏡的光接收面積增加了約四倍，使新的PD芯片能夠接收到略微偏離中心的入射光。消除了對入射光精確對準的需要，有助于提高光收發(fā)器的組裝效率。

通過(guò)將PD芯片的電極與信號放大IC或基板上的倒裝芯片封裝相對應，可以消除組裝光收發(fā)器時(shí)的導線(xiàn)連接工序，有助于降低制造成本。

本產(chǎn)品符合RoHS指令2011/65/EU和（EU）2015/863。