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近日，湖北九峰山實(shí)驗室再次在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進(jìn)展。實(shí)驗室成功點(diǎn)亮集成到硅基芯片內部的激光光源，這也是該項技術(shù)在國內的首次成功實(shí)現。

此項成果采用九峰山實(shí)驗室自研異質(zhì)集成技術(shù)，經(jīng)過(guò)復雜工藝過(guò)程，在8寸SOI晶圓內部完成了磷化銦激光器的工藝集成。

該技術(shù)被業(yè)內稱(chēng)為“芯片出光”，它使用傳輸性能更好的光信號替代電信號進(jìn)行傳輸，是顛覆芯片間信號數據傳輸的重要手段，核心目的是解決當前芯間電信號已接近物理極限的問(wèn)題。

對數據中心、算力中心、CPU/GPU芯片、AI芯片等領(lǐng)域將起到革新性推動(dòng)作用。

基于硅基光電子集成的片上光互連，被認為是在后摩爾時(shí)代突破集成電路技術(shù)發(fā)展所面臨的功耗、帶寬和延時(shí)等瓶頸的理想方案。

而業(yè)界目前對硅光全集成平臺的開(kāi)發(fā)最難的挑戰在于對硅光芯片的“心臟”，即能高效率發(fā)光的硅基片上光源的開(kāi)發(fā)和集成上。該技術(shù)是我國光電子領(lǐng)域在國際上僅剩不多的空白環(huán)節。

九峰山實(shí)驗室硅光工藝團隊與合作伙伴協(xié)同攻關(guān)，在8寸硅光晶圓上異質(zhì)鍵合III-V族激光器材料外延晶粒，再進(jìn)行CMOS兼容性的片上器件制成工藝，成功解決了III-V材料結構設計與生長(cháng)、材料與晶圓鍵合良率低，及異質(zhì)集成晶圓片上圖形化與刻蝕控制等難點(diǎn)。經(jīng)過(guò)近十年的追趕攻關(guān)，終成功點(diǎn)亮片內激光，實(shí)現“芯片出光”。