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2024年12月2日，長(cháng)光辰芯（Gpixel）重磅發(fā)布兩款高速、高靈敏度、背照式CMOS TDI圖像傳感器——GLT5008BSI/GLT5016BSI。此兩款產(chǎn)品采用更優(yōu)化的設計，具有更高的行頻、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半導體晶圓檢測、FPD檢測、高通量基因測序、生物熒光成像等行業(yè)的應用需求。

8K/16K背照式 CMOS TDI 圖像傳感器

1M Hz高行頻，更高數據吞吐量

助力高端儀器產(chǎn)業(yè)升級

GLT5008BSI和GLT5016BSI基于相同的架構進(jìn)行設計，采用5um的電荷域TDI像素設計，片上集成兩個(gè)譜段，積分級數分別為256級+32級。GLT5008BSI有效分辨率為8208像素，支持10bit和12bit ADC輸出，最高行頻分別可達1M Hz和500k Hz。GLT5016BSI有效分辨率為16416像素，其最高行頻可達到500k Hz。兩款產(chǎn)品最高輸出數據率分別為86.4Gbps 和103.7Gbps, 均可采用100GiGE相機接口進(jìn)行數據傳輸。兩款產(chǎn)品均面向下一代更高通量、更高檢出率的基因測序、半導體檢測、屏幕檢測等應用而開(kāi)發(fā)，助力高端儀器裝備行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級。

更低讀出噪聲，更高靈敏度

為弱光成像提供解決方案

在高速成像中，往往積分時(shí)間都較短，在單位時(shí)間內捕捉到的信號有限，導致最終圖像信噪比較差，無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)在弱光下的需求，因此TDI圖像傳感器也成為了此類(lèi)應用場(chǎng)景的理想解決方案。

GLT5008BSI/GLT5016BSI通過(guò)采用片上256級TDI積分設計進(jìn)行信號累積，提升靈敏度。另外兩款產(chǎn)品均采用了低噪聲的像素設計和電路設計，其最小讀出噪聲低于7.7e-，最高動(dòng)態(tài)范圍66dB。通過(guò)優(yōu)化設計，使其具有更強的anti-blooming能力以及大于0.99996的電荷轉移效率（CTE）。以上特性，使得兩款產(chǎn)品在全速工作下獲得更高的信噪比。

定制化ARC，更寬光譜響應

賦能各行各業(yè)

根據被檢測目標的不同特征，往往使用的照明光源或者激發(fā)光源的譜段均不相同，如在半導體晶圓檢測中，其最常用光源為紫外光源，以193nm、266nm為典型波長(cháng)。在基因測序中，不同堿基在不同激發(fā)光下的發(fā)射波長(cháng)不同，其光譜范圍可涵蓋從可見(jiàn)光到近紅外，因此無(wú)法使用一種完全相同的ARC設計來(lái)滿(mǎn)足不同的應用要求。

GLT5008BSI/GLT5016BSI根據不同應用進(jìn)行ARC優(yōu)化設計，分別為紫外譜段優(yōu)化設計（UV）以及可見(jiàn)光優(yōu)化設計（VIS）。在UV版本下，其在300nm以下的峰值量子效率可達80%以上；在266nm下，其量子效率可到65%以上；在VIS版本下，峰值量子效率可高達92.4% @ 440nm。此外，除以上兩種ARC外，也可根據用戶(hù)需求，提供不同譜段ARC定制服務(wù)。

GLT5008BSI和GLT5016BSI采用了片上時(shí)序設計，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了相機設計，且最高功耗僅為4.2W（1M Hz）/6.4W，結合定制化的陶瓷封裝，使其具有更好的可靠性和散熱性。                                                         GLT5008BSI

                                                            GLT5016BSI