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三菱電機株式會(huì )社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開(kāi)始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽(yáng)能和其他可再生能源發(fā)電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽(yáng)能發(fā)電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。

近年來(lái)，作為能夠降低碳排放的關(guān)鍵器件，功率半導體的需求正在增加。功率半導體模塊可以用于可再生能源的功率轉換設備，比如太陽(yáng)能發(fā)電和儲能電池等電源系統的逆變器。為了實(shí)現低碳社會(huì )，提高電源系統的發(fā)電和儲能效率以及降低系統功耗變得日益重要，因此要求功率半導體模塊具有更高的轉換效率和輸出功率。

三菱電機自1990年推出搭載IGBT的功率半導體模塊以來(lái)，在消費、汽車(chē)、工業(yè)和鐵路領(lǐng)域得到了廣泛應用，以?xún)?yōu)異的性能和高可靠性受到高度評價(jià)?，F已開(kāi)發(fā)出的第8代IGBT，具有獨特的分離式柵極溝槽（SDA1）和可以控制載流子的等離子體層（CPL2）結構。

與現有產(chǎn)品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽(yáng)能發(fā)電系統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過(guò)優(yōu)化IGBT和二極管芯片布局，實(shí)現了1800A的額定電流，是上述現有產(chǎn)品的1.5倍，有助于提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統封裝易于并聯(lián)連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。

隨著(zhù)對功率半導體需求的增加，三菱電機期待在各個(gè)領(lǐng)域降低電力電子設備的能耗，并快速穩定地提供此類(lèi)產(chǎn)品，以支持綠色轉型（GX）。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.搭載第8代IGBT，使逆變器功率損耗降低15%

與第7代IGBT相比，獨特的SDA結構有助于抑制dv/dt5，并實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)速度，有望降低導通開(kāi)關(guān)損耗。

獨特的CPL結構抑制了關(guān)斷浪涌電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。

2.通過(guò)將額定電流提高到1800A，有助于提高逆變器的輸出功率

優(yōu)化的芯片布局實(shí)現了1800A的額定電流，是現有產(chǎn)品3的1.5倍。

3.利用現有的LV100封裝簡(jiǎn)化并聯(lián)設計

采用現有封裝簡(jiǎn)化了并聯(lián)設計，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。

使用現有封裝簡(jiǎn)化了現有產(chǎn)品的替換，縮短了逆變器的設計過(guò)程。

主要規格