三菱電機株式會(huì )社近日(2025年1月14日)宣布,將于2月15日起開(kāi)始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽(yáng)能和其他可再生能源發(fā)電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片,有助于降低太陽(yáng)能發(fā)電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗,提高逆變器的輸出功率。
近年來(lái),作為能夠降低碳排放的關(guān)鍵器件,功率半導體的需求正在增加。功率半導體模塊可以用于可再生能源的功率轉換設備,比如太陽(yáng)能發(fā)電和儲能電池等電源系統的逆變器。為了實(shí)現低碳社會(huì ),提高電源系統的發(fā)電和儲能效率以及降低系統功耗變得日益重要,因此要求功率半導體模塊具有更高的轉換效率和輸出功率。
三菱電機自1990年推出搭載IGBT的功率半導體模塊以來(lái),在消費、汽車(chē)、工業(yè)和鐵路領(lǐng)域得到了廣泛應用,以?xún)?yōu)異的性能和高可靠性受到高度評價(jià)?,F已開(kāi)發(fā)出的第8代IGBT,具有獨特的分離式柵極溝槽(SDA1)和可以控制載流子的等離子體層(CPL2)結構。
與現有產(chǎn)品3相比,采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽(yáng)能發(fā)電系統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外,通過(guò)優(yōu)化IGBT和二極管芯片布局,實(shí)現了1800A的額定電流,是上述現有產(chǎn)品的1.5倍,有助于提高逆變器的輸出功率。此外,該模塊的傳統封裝易于并聯(lián)連接,可以兼容多種功率等級的逆變器設計。
隨著(zhù)對功率半導體需求的增加,三菱電機期待在各個(gè)領(lǐng)域降低電力電子設備的能耗,并快速穩定地提供此類(lèi)產(chǎn)品,以支持綠色轉型(GX)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1.搭載第8代IGBT,使逆變器功率損耗降低15%
與第7代IGBT相比,獨特的SDA結構有助于抑制dv/dt5,并實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)速度,有望降低導通開(kāi)關(guān)損耗。
獨特的CPL結構抑制了關(guān)斷浪涌電壓,與第7代IGBT相比芯片更薄。
2.通過(guò)將額定電流提高到1800A,有助于提高逆變器的輸出功率
優(yōu)化的芯片布局實(shí)現了1800A的額定電流,是現有產(chǎn)品3的1.5倍。
3.利用現有的LV100封裝簡(jiǎn)化并聯(lián)設計
采用現有封裝簡(jiǎn)化了并聯(lián)設計,可以兼容多種功率等級的逆變器設計。
使用現有封裝簡(jiǎn)化了現有產(chǎn)品的替換,縮短了逆變器的設計過(guò)程。
主要規格