伴隨著(zhù)AI突飛猛進(jìn)的跨越式發(fā)展,除了數據中心帶寬爆發(fā)性增長(cháng)外,接入帶寬需求不斷攀升,固網(wǎng)接入主流應用速率將從10Gbps跨步到50Gbps, 50G PON將是有線(xiàn)寬帶接入下一階段的部署趨勢,并有機會(huì )在A(yíng)I的推動(dòng)下實(shí)現加速。
??作為行業(yè)領(lǐng)先的高速光芯片供應商,源杰科技基于10+年激光器芯片研發(fā)積累,借助10G 1577nm EML+SOA大規模量產(chǎn)經(jīng)驗,成功研發(fā)并批量出貨集成SOA的大光功率50G 1342nm EML+SOA激光器芯片,適用于下一代高速PON網(wǎng)絡(luò )的50G PON OLT系列EML光芯片解決方案。同時(shí),2025年源杰科技計劃推出滿(mǎn)足更高功率版本OLT端的50G 1342nm EML+SOA產(chǎn)品。
??針對50G PON應用,源杰科技提供全套解決方案,非對稱(chēng)ONU端(1286波段)采取DML方案,目前在客戶(hù)端已實(shí)現批量;對稱(chēng)ONU(1286波段)和OLT端(1342波段)均采取EML+SOA 方案,滿(mǎn)足ITU標準C+標準,已實(shí)現批量發(fā)貨下游客戶(hù)。
??該系列芯片具備高帶寬、大消光比、大功率、低噪聲等特點(diǎn),成熟的DFB+EA對接結構設計與工藝實(shí)現低損耗、高可靠性,助力50G PON產(chǎn)業(yè)化落地。
圖1:50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器 S21曲線(xiàn)
測試條件:50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.6V
圖2:50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器眼圖
測試條件:50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.7V,Vpp=1.5V
圖3:50G 1342nm EML+SOA激光器DC
Characteristic:
測試條件:IDFB = 100mA, ISOA = 100mA