中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
Littelfuse發(fā)布采用DO-214AB（SMC）封裝的Pxxx0S3G-A系列保護晶閘管，在僅7.1×6.2×2.5mm空間內實(shí)現2kA（8/20μs）浪涌防護能力，為車(chē)載充電機、光伏逆變器等高密度場(chǎng)景提供汽車(chē)級抗瞬變解決方案。較傳統TO-262方案節省50%布局空間，同時(shí)通過(guò)AEC-Q101認證，填補緊湊型高功率防護器件市場(chǎng)空白。
技術(shù)突破：三重創(chuàng )新
1. 封裝工藝革命
● 采用銅引線(xiàn)框架+環(huán)氧樹(shù)脂真空密封，在-55℃~150℃溫度范圍內維持熱穩定性，解決微型化導致的散熱瓶頸；
● SMC封裝兼容回流焊工藝，提升自動(dòng)化貼裝效率30%4。
2. 非降級防護機制
● 基于硅控整流結構（SCR），在納秒級內觸發(fā)低阻抗通路，2000次浪涌沖擊后性能衰減＜6%，壽命為MOV器件的3倍；
3. 車(chē)規級材料適配
● 陽(yáng)極采用鉬摻雜鋁基材，耐受800V平臺下的反向擊穿電壓，通過(guò)ISO 16750-2標準測試。
競品對比分析
*表：Pxxx0S3G-A 與傳統方案關(guān)鍵性能對比*
數據來(lái)源：Littelfuse官方測試報告
行業(yè)價(jià)值：成本與可靠性重構
● 設計成本：減少50%占板面積，允許PCB層數從6層降至4層，單板成本降低18%；
● 維護成本：免更換設計降低工業(yè)設備全周期運維費用40%，適配光伏電站25年壽命需求；
● 國產(chǎn)替代加速：中國廠(chǎng)商平尚科技同步開(kāi)發(fā)SMC封裝1.8kA器件，價(jià)格低20%，倒逼國際巨頭技術(shù)迭代。
技術(shù)難題攻關(guān)
● 電弧抑制：在DO-214AB腔體內集成二氧化硅弧隔柵，將2000A電流下的電弧擴散時(shí)間壓縮至≤10ns，避免微封裝燒蝕；
● 熱應力均衡：通過(guò)銅鎢合金基板分散瞬態(tài)熱沖擊，解決微型化導致的局部高溫（＞200℃）失效問(wèn)題。
應用場(chǎng)景與市場(chǎng)前景
數據整合自應用案例
未來(lái)展望：固態(tài)化與集成化
固態(tài)晶閘管：Littelfuse研發(fā)實(shí)驗室推進(jìn)GaN-SCR混合結構，目標將浪涌能力提升至3kA@5mm2封裝；
智能防護模塊：集成電壓傳感器與MCU，實(shí)現故障預測（如華為專(zhuān)利CN114XXXXXXB），2026年量產(chǎn)成本降幅或達35%。
結語(yǔ)
Pxxx0S3G-A的誕生標志電路防護進(jìn)入“毫米級高能時(shí)代”——以7mm身軀承載2kA浪涌，破解了新能源與智能工業(yè)的微型化悖論。隨著(zhù)中國廠(chǎng)商加入SMC封裝競賽，車(chē)規級高密度防護器件價(jià)格年降幅將超12%，加速800V快充與儲能系統普及。未來(lái)三年，固態(tài)化晶閘管與IPM集成防護模塊將重塑百億級市場(chǎng)格局。
