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ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進(jìn)水平。
 
新產(chǎn)品采用ROHM自有結構，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導通電阻。另外，通過(guò)在一個(gè)器件中內置雙MOSFET的結構設計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿(mǎn)足雙向供電電路所需的雙向保護等應用需求。


新產(chǎn)品中的ROHM自有結構能夠將通常垂直溝槽MOS結構中位于背面的漏極引腳置于器件表面，并采用了WLCSP*3封裝。WLCSP能夠增加器件內部芯片面積的比例，從而降低新產(chǎn)品的單位面積導通電阻。導通電阻的降低不僅減少了功率損耗，還有助于支持大電流，使新產(chǎn)品能夠以超小體積支持大功率快速充電。例如，對小型設備的雙向供電電路進(jìn)行比較后發(fā)現，使用普通產(chǎn)品需要2枚3.3mm×3.3mm的產(chǎn)品，而使用新產(chǎn)品僅需1枚2.0mm×2.0mm的產(chǎn)品即可，器件面積可減少約81％，導通電阻可降低約33％。即使與通常被認為導通電阻較低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新產(chǎn)品的導通電阻也降低了約50％。因此，這款兼具低導通電阻和超小體積的“AW2K21”產(chǎn)品有助于降低應用產(chǎn)品的功耗并節省空間。

另外，新產(chǎn)品還可作為負載開(kāi)關(guān)應用中的單向保護MOSFET使用，在這種情況下也實(shí)現了業(yè)界超低導通電阻。