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AOS推出的AOTL66935采用自主研發(fā)的100V AlphaSGT? MOSFET技術(shù)，通過(guò)溝槽工藝實(shí)現1.95mΩ超低導通電阻（RDS(ON)），同時(shí)結合寬范圍安全工作區（SOA）設計，顯著(zhù)提升器件在48V熱插拔場(chǎng)景下的峰值電流承載能力與可靠性。該技術(shù)有效抑制浪涌電流沖擊，降低系統并聯(lián)器件需求，簡(jiǎn)化電源拓撲。

產(chǎn)品功能：性能與封裝雙優(yōu)化

● 電氣性能：支持最大連續漏極電流360A（25℃），瞬態(tài)電流達1440A，適用于高浪涌場(chǎng)景2。

● 封裝創(chuàng )新：采用TO-Leadless（TOLL）封裝，占板面積較傳統D2PAK封裝縮小30%，兼容自動(dòng)化光學(xué)檢測（AOI），并計劃推出更緊湊的LFPAK8x8封裝。

● 認證與可靠性：生產(chǎn)工廠(chǎng)通過(guò)IATF 16949認證，確保車(chē)規級品質(zhì)標準。

AI服務(wù)器中的 48V 熱插拔應用需要 MOSFET 兼具大電流處理能力，同時(shí)還要提供卓越的 SOA 穩健性和高可靠性。我們推出的AOTL66935 正是針對這些嚴苛的應用需求而設計，其低導通電阻不僅能降低功率損耗，還可減少并聯(lián)器件數量。

行業(yè)價(jià)值：破解高密度電源設計痛點(diǎn)

● 能效提升：低導通電阻減少功率損耗，系統能效提升5%-8%，助力AI服務(wù)器降低運營(yíng)成本。

● 空間壓縮：TOLL封裝節省30%PCB面積，適配高密度電源模塊設計。

● 可靠性增強：寬SOA特性支持嚴苛工況下長(cháng)期穩定運行，MTBF提升至10萬(wàn)小時(shí)以上。

技術(shù)難題與解決方案

● 浪涌電流沖擊：通過(guò)優(yōu)化柵極結構和SOA設計，限制瞬態(tài)電流峰值，減少并聯(lián)器件數量。

● 散熱瓶頸：TOLL封裝采用頂部散熱路徑設計，降低FR4基板的熱阻，溫升控制＜25℃。

● 制造一致性：溝槽工藝結合AOI檢測技術(shù)，確保器件良率與批次穩定性。

應用場(chǎng)景與市場(chǎng)前景

● 核心場(chǎng)景：AI服務(wù)器48V熱插拔、通信基站電源、工業(yè)設備緩啟動(dòng)模塊。

● 市場(chǎng)預測：2025年服務(wù)器電源MOSFET市場(chǎng)規模將超20億美元，高可靠性器件需求年增12%。

未來(lái)展望：封裝與材料雙線(xiàn)迭代

AOS計劃基于A(yíng)lphaSGT?技術(shù)推出LFPAK8x8封裝產(chǎn)品，進(jìn)一步縮小體積并提升散熱效率。同時(shí)，探索碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）材料的集成應用，目標將耐壓等級提升至1200V，適配新能源與智能電網(wǎng)領(lǐng)域。