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Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT硅電容器面向光通信系統（ROSA/TOSA、SONET和所有光電元件）以及高速數據系統或產(chǎn)品。這些電容器設計用于直流阻斷、耦合和旁路接地應用。這些硅電容器在寬頻率范圍（UBSC為16kHz至67GHz，BBSC為16kHz至40GHz，ULSC為16kHz至20GHz）內具有低插入損耗、低反射和高相位穩定性。這些深溝槽硅電容器設計采用半導體MOS工藝，可在過(guò)電壓 (0.1%/V) 和超溫 (60ppm/K) 條件下提供高可靠性和電容穩定性。
 
這些元件的擴展工作溫度范圍為-55°C至+150°C。高溫固化過(guò)程（高于900°C）可生成高純度的氧化物，從而提供高可靠性和可重復性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合標準JEDEC組裝規則，因此與高速自動(dòng)拾取貼裝生產(chǎn)操作完全兼容。這些電容器符合RoHS指令，根據外殼尺寸的不同，可采用ENIG端接或無(wú)引線(xiàn)預焊。
 
特性
● 高達110GHz的超寬帶性能
● 無(wú)諧振，可實(shí)現極低的群時(shí)延變化
● 超低插入損耗（得益于傳輸模式下的阻抗匹配）
● 在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR
● 電容值在整個(gè)溫度、電壓和老化條件下具有很高的穩定性
● 高可靠性
● 與無(wú)鉛回流焊兼容
 
規范
● 電容范圍：1nF至100nF
● 電容容差：±15%
● 溫度范圍
● 工作溫度范圍：-55°C至+150°C
● 儲存溫度范圍：-70°C至+165°C
● 溫度系數：+60ppm/K
● 擊穿電壓：11VDC或30VDC
● 老化：<0.001%/1000小時(shí)
● 高度：400μm或100μm
 
應用
● 光電元件/高速數據
● 跨阻抗放大器 (TIA)
● 收發(fā)光學(xué)子組件 (ROSA/TOSA)
● 同步光纖網(wǎng)絡(luò ) (SONET)
● 高速數字邏輯
● 寬帶測試設備
● 寬帶微波/毫米波
● 替代X7R和NP0電容器
● 薄型應用