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        Murata ATSC汽車(chē)用高溫硅電容器面向處于汽車(chē)市場(chǎng)領(lǐng)域惡劣條件下的發(fā)動(dòng)機罩下電子設備和傳感器。深溝槽MOS電容器與獨特的鑲嵌結構和分布式溝槽電容器相結合，實(shí)現了出色的電氣性能。在生產(chǎn)過(guò)程中，該電容器在+900°C的溫度下固化，生成高純度的氧化物，另外，該器件符合AEC-Q100標準，在高達200°C的溫度下實(shí)現了較長(cháng)的使用壽命。
 
       Sicap技術(shù)具有高可靠性（最高可達替代電容器技術(shù)的10倍），且穩定性高、外形纖薄。與標準SMD解決方案相比，ATSC電容器具有增強的去耦性能，并且與系統級封裝組件和引線(xiàn)框架完全兼容。
 
       特性 
符合AEC-Q100標準
在+200°C條件下具有超長(cháng)使用壽命
電容值在整個(gè)溫度、電壓和老化條件下具有很高的穩定性
負載突降
8kV HBM ESD
適用于高溫引線(xiàn)框架安裝
 
       規范
電容范圍：390pF至1μF
電容容差：±15%
厚度：250μm
額定電壓：16VDC
溫度范圍
工作溫度范圍：-55°C至+200°C
儲存溫度范圍：-70°C至+215°C
擊穿電壓：30VDC
 
       應用
惡劣條件傳感器
200°C傳感器
點(diǎn)火傳感器
油壓傳感器
溫度傳感器
電機管理傳感器
渦輪增壓傳感器
霍爾效應傳感器