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       安森美半導體推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分別為25、35和50安培（A）版本的轉移成型功率集成模塊(TM-PIM)，用于1200伏（V）的應用，提供轉換器-逆變器-制動(dòng)（CIB）和轉換器-逆變器（CI）配置版本。這些模塊包括6個(gè)1200 V IGBT、6個(gè) 1600 V 整流器和一個(gè)用于系統級溫度監控的負溫度系數（NTC）熱敏電阻。CIB版本使用一個(gè)附加的1200 V IGBT和一個(gè)二極管。新推出的模塊采用轉移成型封裝，延長(cháng)溫度及功率的循環(huán)壽命。模塊尺寸僅為73 x 40 x 8毫米（mm），具有可焊接引腳，CIB和CI版本均具有一個(gè)標準化的引腳輸出。
 
       公司同時(shí)推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴充了智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品陣容，包括額定電壓650 V和1200 V，以及額定電流10 A至75 A。這些三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門(mén)雙極晶體管（Trench IGBT）、快速恢復二極管、門(mén)極驅動(dòng)器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護，通過(guò)一個(gè)額定2500 Vrms /分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL1557認證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長(cháng)功率循環(huán)壽命和散熱能力。
 
       通過(guò)片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門(mén)極驅動(dòng)器透過(guò)減低系統復雜性實(shí)現緊湊、高效和可靠的門(mén)極驅動(dòng)器設計。這些器件分別提供4 A/6 A供應電流和汲取電流，同時(shí)還集成了去飽和(DESAT)、米勒鉗位、欠壓鎖定（UVLO）保護、使能（Enable）和穩壓VREF。
 
       NCS21871零漂移運算放大器以一個(gè)45 μV低輸入偏置電壓提供精確的信號調節，同時(shí)從-40°C至+125°C維持該精度，低輸入偏置漂移為0.4 μV /°C。這些參數使其非常適合用于低邊電流檢測。
 
        NCP730 LDO穩壓器提供150 mA，輸出電壓精度為±1％，工作輸入電壓范圍從2.7 V至38 V和具有低壓降。集成的軟啟動(dòng)可抑制涌入電流，在過(guò)載情況下提供短路和過(guò)熱保護，使器件非常適合用于工業(yè)自動(dòng)化應用。