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村田推出車(chē)用超小超薄的LW逆轉低ESL獨石陶瓷電容器
來(lái)源：電子元件技術(shù)
瀏覽次數：247 發(fā)布時(shí)間：2020-11-05
株式會(huì )社村田制作所（以下簡(jiǎn)稱(chēng)本公司）研發(fā)了汽車(chē)ECU（電子控制單元）內所用的處理器用超小超薄(1)（0.5mm×1.0mm×0.2mm(2)）的LW逆轉低ESL獨石陶瓷電容器(3)“LLC152D70G105ME01”（以下簡(jiǎn)稱(chēng)本產(chǎn)品），并于10月份開(kāi)始量產(chǎn)。
(1) 本公司調查。截至2020年11月4日。
(2) T尺寸標準值：0.2 ± 0.02 mm（上限值0.22 mm）。
(3) 與普通獨石陶瓷電容器不同，通過(guò)在芯片寬度窄的方向兩端形成外部電極，縮短電極間距離，擴展電極寬度，實(shí)現了低ESL化的電容器。
近年來(lái)隨著(zhù)ADAS（高級駕駛輔助系統）、自動(dòng)駕駛的發(fā)展，一輛汽車(chē)上搭載的處理器的數量增多，為使這些處理器正常工作，搭載的獨石陶瓷電容器的數量也在增加。在這樣的趨勢下，對于汽車(chē)用獨石陶瓷電容器，為了通過(guò)減少個(gè)數以期減少面積并提高可靠性，通過(guò)小型大容量化及低ESL化(4)提高高頻特性的需求強烈。
本產(chǎn)品非常薄，能夠直接貼裝于處理器封裝背面的焊球之間，故而也能為處理器封裝小型化做貢獻。此外通過(guò)將電容器貼裝于處理器封裝的背面，使電容器與處理器Die(小方塊)的距離比傳統的側面配置更近，能夠進(jìn)一步低阻抗化(5)，從而能夠進(jìn)行高頻特性更優(yōu)異的電路設計。
(4) ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯(lián)電感。一般來(lái)說(shuō)ESL是降低電容器性能的原因之一，等效電感值越低電容器特性越好。
(5) 阻抗：指交流電路中電的感抗。處理器的電源電路一般使用去耦電容來(lái)降低阻抗，抑制電源電壓變動(dòng)使其穩定。
(1) 本公司調查。截至2020年11月4日。
(2) T尺寸標準值：0.2 ± 0.02 mm（上限值0.22 mm）。
(3) 與普通獨石陶瓷電容器不同，通過(guò)在芯片寬度窄的方向兩端形成外部電極，縮短電極間距離，擴展電極寬度，實(shí)現了低ESL化的電容器。
近年來(lái)隨著(zhù)ADAS（高級駕駛輔助系統）、自動(dòng)駕駛的發(fā)展，一輛汽車(chē)上搭載的處理器的數量增多，為使這些處理器正常工作，搭載的獨石陶瓷電容器的數量也在增加。在這樣的趨勢下，對于汽車(chē)用獨石陶瓷電容器，為了通過(guò)減少個(gè)數以期減少面積并提高可靠性，通過(guò)小型大容量化及低ESL化(4)提高高頻特性的需求強烈。
本產(chǎn)品非常薄，能夠直接貼裝于處理器封裝背面的焊球之間，故而也能為處理器封裝小型化做貢獻。此外通過(guò)將電容器貼裝于處理器封裝的背面，使電容器與處理器Die(小方塊)的距離比傳統的側面配置更近，能夠進(jìn)一步低阻抗化(5)，從而能夠進(jìn)行高頻特性更優(yōu)異的電路設計。
(4) ESL（Equivalent Series Inductance）：等效串聯(lián)電感。一般來(lái)說(shuō)ESL是降低電容器性能的原因之一，等效電感值越低電容器特性越好。
(5) 阻抗：指交流電路中電的感抗。處理器的電源電路一般使用去耦電容來(lái)降低阻抗，抑制電源電壓變動(dòng)使其穩定。
普通獨石陶瓷電容器（左）與LW逆轉電容器（右）的結構
貼裝于處理器封裝背面的示意圖
今后本公司將繼續研發(fā)適應市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，為汽車(chē)的高性能化高功能化做貢獻。
主要技術(shù)規格
(6) Automobile Electronics Council（車(chē)載電子元件理事會(huì )）制定的無(wú)源元件（電容器、電感器等）的行業(yè)標準。
