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科學(xué)家創(chuàng )造世界最小的原子存儲單元 利用單個(gè)原子的運動(dòng)來(lái)存儲數據
來(lái)源:cnBeta.COM  瀏覽次數:180  發(fā)布時(shí)間:2020-11-30

據外媒New Atlas報道,得克薩斯大學(xué)的工程師們創(chuàng )造了有史以來(lái)最小的記憶存儲設備之一,由一種二維材料制成,橫截面面積只有一平方納米。這種被稱(chēng)為 “原子電阻”的裝置是通過(guò)單個(gè)原子的運動(dòng)來(lái)工作的,這將為具有難以置信的信息密度的更小的記憶系統鋪平道路。


這種新設備屬于一類(lèi)新興的電子器件,稱(chēng)為記憶電阻(Memristors),它使用電阻開(kāi)關(guān)存儲數據。從本質(zhì)上講,當某種材料暴露在一定的電壓下時(shí),其電阻可以切換,變得更強或更弱。這種現象可用于將數據寫(xiě)入設備,隨后可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數據。


在這種情況下,這種電阻開(kāi)關(guān)是通過(guò)單原子移入和移出納米級孔來(lái)處理的,這將改變材料的導電性。有關(guān)材料是二硫化鉬,盡管該團隊表示,這一概念也應該適用于一系列類(lèi)似的材料。


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“縮放的科學(xué)圣杯是下降到一個(gè)原子控制記憶功能的水平,這就是我們在新研究中完成的,”該研究的相應作者Deji Akinwande說(shuō)。


該團隊表示,新裝置是有史以來(lái)最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片,厚度只有一個(gè)原子。如果要擴大規模,它可以用來(lái)制造每平方厘米約25TB的存儲容量的芯片,這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運行所需的能量也更少。


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“這項工作取得的成果為開(kāi)發(fā)未來(lái)一代應用鋪平了道路......如超密集存儲、神經(jīng)形態(tài)計算系統、射頻通信系統等?!泵绹戃娧芯哭k公室項目經(jīng)理Pani Varanasi說(shuō)。


該研究成果發(fā)表在《自然-納米技術(shù)》雜志上。

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