ADAS/自動(dòng)駕駛方案
ADAS/自動(dòng)駕駛是實(shí)現零事故、零死亡和零分心的核心技術(shù),而各種傳感器是這些系統中的主要技術(shù)。安森美半導體提供的圖像傳感器,用在自動(dòng)駕駛系統上,每小時(shí)可有望挽救9條生命。自動(dòng)駕駛從L1到L5的逐級提升,傳感器的數量和種類(lèi)都不斷地增加。安森美半導體為整個(gè)汽車(chē)提供全面的智能感知方案,包括成像、超聲波、毫米波雷達、激光雷達和傳感器融合,以及其它車(chē)規級器件如二極管、低壓降穩壓器 (LDO) 、電源管理IC等和車(chē)載網(wǎng)絡(luò )及先進(jìn)的汽車(chē)照明方案。
安森美半導體的激光雷達 (LiDAR) 基于硅光電倍增管 (SiPM) ,與傳統的雪崩光電二極管 (APD) 相比,SiPM的增益是APD的1萬(wàn)倍,靈敏度是APD的2000倍,工作電壓要求低至30V,一致性非常好,適合大批量生產(chǎn),符合汽車(chē)LiDAR落地對傳感器的需求。安森美半導體提供車(chē)規單點(diǎn)SiPM、線(xiàn)陣1x12、1x16 SiPM,其最新的Pandion 單光子雪崩二極管 (SPAD) 400×100面陣,將來(lái)完全可以實(shí)現有深度信息的圖像。安森美半導體的下一代毫米波雷達采用MIMO+,能提供4維信息,用于L3層級的自動(dòng)駕駛,比競爭對手多一倍的通道,節省50%的mmIC器件、減少優(yōu)化控制器、線(xiàn)路板,降低總成本。
電動(dòng)汽車(chē)/汽車(chē)功能電子化方案
安森美半導體是汽車(chē)功能電子化的一個(gè)領(lǐng)袖,提供全面的方案包括先進(jìn)的碳化硅 (SiC) 、IGBT、高壓門(mén)極驅動(dòng)器、高壓整流器、超級結MOSFET、高壓DC-DC等,以及先進(jìn)的封裝技術(shù)如單/雙面冷卻和雙面直接冷卻封裝,用于牽引逆變器、車(chē)載充電、48 V、輔助電機控制、高壓負載等系統。
安森美半導體提供高能效、穩定可靠且具成本競爭優(yōu)勢的牽引逆變器方案及先進(jìn)的封裝技術(shù),包括分立IGBT、SiC MOSFET、隔離門(mén)極驅動(dòng)器和創(chuàng )新的VE-Trac系列模塊,以助力增加電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程,從而幫助提高電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)占有用率。VE-Trac系列模塊包括VE-Trac Dual和VE-Trac Direct,提供領(lǐng)先市場(chǎng)的電氣和熱性能,同時(shí)為迅速增長(cháng)的牽引逆變器市場(chǎng)提供可擴展性和汽車(chē)可靠性。其中,VE-Trac Dual是雙面散熱模塊,適用于從80 kW到300 kW應用,提供最低的每kW成本,具有可擴展,低雜散電感的優(yōu)點(diǎn),VE-Trac Direct以創(chuàng )新和可靠的壓合引腳直接替代現有的傳統產(chǎn)品。對于800 V電池電動(dòng)汽車(chē)系統,SiC MOSFET提供優(yōu)于硅的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性,具有低導通電阻和緊湊的芯片尺寸,確保低電容和門(mén)極電荷。
表1:安森美半導體的車(chē)載充電方案概覽
車(chē)身電子及內部
安森美半導體提供廣泛的預驅動(dòng)器、步進(jìn)電機驅動(dòng)器、門(mén)極驅動(dòng)器、SmartFET和車(chē)載網(wǎng)絡(luò )方案陣容,具備高能效、高可靠性等優(yōu)勢。