中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
作為內存、固態(tài)、混合存儲產(chǎn)品的全球領(lǐng)導者之一，SMART Modular 剛剛宣布了具有增強的耐用性和穩定性的工業(yè)級 DDR5 內存。這些新 DRAM 模組結合了先進(jìn)的 DDR5 技術(shù)，以及 SMART Modular 獨特且嚴格的測試流程，使之能夠在工業(yè)級的 -40℃ 到 +85℃ 溫度范圍下可靠運行。
金屬功率電感器PLE系列是一種高效率、低漏磁通的超小型功率電感器，在可穿戴設備上搭載的小型電池上運行時(shí)可發(fā)揮很好的效果。采用TDK獨有的結構設計和全新開(kāi)發(fā)材料，通過(guò)薄膜工藝，L:1.0×W:0.6×H:0.7mm尺寸時(shí)有2.2μH的高電感，同時(shí)實(shí)現了500mA的額定電流。
工藝技術(shù)應用了薄膜HDD磁頭的技術(shù)，這次提高了高精度積層技術(shù)，在1.0 x 0.6 x 0.8mm尺寸的金屬功率電感器上實(shí)現了2.2uH以上的電感值。另外，TDK作為材料制造商，進(jìn)行各種材料開(kāi)發(fā)，新開(kāi)發(fā)了高磁導率且低損耗的金屬磁性材料，實(shí)現了低損失、高效率的電感器。
PLE系列的關(guān)鍵技術(shù)之一是一種工藝技術(shù)：薄膜工法。薄膜工法有以下特點(diǎn)：
實(shí)現高精度的積層，可以抑制偏差。
實(shí)現2圈/層以上，在小導體專(zhuān)用面積上實(shí)現了高電感。
確保上下磁性材料厚度，可以抑制漏磁通。
薄膜工法和電感器的代表性工法——線(xiàn)圈工法和積層工法的比較。
PLE系列另一項的關(guān)鍵技術(shù)是材料技術(shù)。這次采用了新開(kāi)發(fā)的高磁導率/低損耗的金屬磁性材料，進(jìn)行優(yōu)化后，在1~2.5MHz頻帶實(shí)現了高Q。Q越高ACR越低，這樣可以獲得較高的電源效率。
小型電池驅動(dòng)的可穿戴設備要求小功率，所以電源驅動(dòng)方式使用PFM(Pulse Frequency Modulation)。PFM與PWM(Pulse Width Modulation)比較，DC偏置電流小，所以有可以降低功率的優(yōu)點(diǎn)，但AC偏置電流變大。因此，ACR特性變得很重要，使用Hi-Q、低ACR的電感器，可以實(shí)現較高的電源效率。
PLE系列容易確保磁性材料的厚度，可以抑制漏磁通。進(jìn)而，使線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁通的朝向相對基板水平，可以抑制產(chǎn)生噪聲的原因——磁通對GND平面的影響，抑制噪聲。磁通對水平線(xiàn)圈和垂直線(xiàn)圈的GND平面的影響的測定結果如圖6所示。
