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氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）市場(chǎng)增長(cháng)如火如荼。TrendForce預測，到2021年，GaN功率半導體市場(chǎng)將同比增長(cháng)91％至6,100萬(wàn)美元，而SiC功率半導體市場(chǎng)將同比增長(cháng)32％至6.8億美元。占GaN和SiC半導體需求大部分的5G基站RF和逆變器市場(chǎng)隨著(zhù)5G投資的增加而迅速增長(cháng)。

小米，OPPO和Vivo等智能手機制造商已開(kāi)始在其充電器中安裝GaN晶體管。將來(lái)，如果筆記本電腦制造商和主要的智能手機制造商（如Apple）也將GaN晶體管應用于其充電器，則市場(chǎng)增長(cháng)將加速。目前，臺積電等代工企業(yè)主要使用6英寸晶圓來(lái)制造GaN器件；但是，我們希望它們將來(lái)會(huì )轉換為8英寸晶圓。

電動(dòng)汽車(chē)，太陽(yáng)能，快速充電器等的需求回升

SiC功率半導體越來(lái)越多地用于DC / DC轉換，車(chē)載充電，工業(yè)功率因數校正，AC / DC轉換和太陽(yáng)能逆變器。盡管特斯拉已經(jīng)在其逆變器中采用了SiC半導體，但后來(lái)者的采用正在加速增長(cháng)，例如，現代汽車(chē)公司最近開(kāi)始在其E-GMP（EV平臺）中采用SiC半導體。

GaN和SiC半導體的帶隙比傳統半導體的帶隙寬3倍以上，因此它們可以承受10倍的高電壓。GaN和4H-SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，而Si為1.1 eV。相關(guān)公司包括Cree，Veeco，意法半導體和Rohm，以及韓國的RFHIC，Metal Life和YesT。