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韓國科學(xué)技術(shù)研究院發(fā)布消息稱(chēng)，該院聯(lián)合延世大學(xué)利用二維二硒化鎢納米單芯片和一維氧化鋅氧化物半導體納米線(xiàn)的混合維空間雙層結構，開(kāi)發(fā)了可以感知從紫外線(xiàn)到近紅外線(xiàn)光的光電二極管器件。該研究結果發(fā)表在國際學(xué)術(shù)雜志《先進(jìn)功能材料》（Advanced Functional Materials）上。    

低維空間納米半導體元件在下一代半導體中有廣泛應用前景，是研發(fā)重點(diǎn)領(lǐng)域。研究組使用的二維元件具有光回應性能強、洞遷移率高的特性，是P型半導體元件。一維氧化鋅納米線(xiàn)是目前最好的一維納米半導體之一，具有電子遷移率高的特性，有望應用于高性能電子元件N型半導體元件。將一維二維混合后形成了混合維空間雙層結構（PN型），研制出光電二極管元件。    

研究組表示，該研究成功實(shí)現了二維圖像，今后有望廣泛應用于新一代圖像傳感器元件。