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ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產(chǎn)品非常適用于可穿戴設備、無(wú)線(xiàn)耳機等可聽(tīng)戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開(kāi)關(guān)應用。

近年來(lái)，隨著(zhù)小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長(cháng)趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來(lái)越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。

針對這種需求，開(kāi)發(fā)易于小型化而且特性?xún)?yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業(yè)界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的優(yōu)勢，通過(guò)靈活運用其IC工藝，大大降低了在以往分立器件的工藝中會(huì )增加的布線(xiàn)電阻，開(kāi)發(fā)出功率損耗更低的小型功率MOSFET。

新產(chǎn)品采用融入了ROHM自有IC工藝的晶圓級芯片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在實(shí)現小型化的同時(shí)還降低了功耗。與相同封裝的普通產(chǎn)品相比，表示導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間關(guān)系的指標（導通電阻*3×Qgd*4）改善了20%左右，達到業(yè)內先進(jìn)水平（1.0mm×0.6mm以下封裝產(chǎn)品比較），非常有助于縮減各種小型設備電路板上的元器件所占面積并進(jìn)一步提高效率。另外，還采用ROHM自有的封裝結構，使側壁有絕緣保護（相同封裝的普通產(chǎn)品沒(méi)有絕緣保護）。在受空間限制而不得不高密度安裝元器件的小型設備中，使用這款新產(chǎn)品可降低因元器件之間的接觸而導致短路的風(fēng)險，從而有助于設備的安全運行。