中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
英諾賽科宣布推出SolidGaN系列100V半橋氮化鎵功率芯片新品ISG3201。內部集成2顆100V/3.2mΩ增強型氮化鎵和1顆100V半橋驅動(dòng)，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封裝，支持獨立的高低邊PWM信號輸入，可與絕大多數控制器匹配。是48V功率系統，48V無(wú)刷電機驅動(dòng)器，48V輕混汽車(chē)的理想選擇，如高性能大功率電源轉換、電動(dòng)工具、伺服電機、太陽(yáng)能逆變器、雙向逆變器和D類(lèi)功放等應用。
英諾賽科 ISG3201 是一顆 100V 耐壓的半橋氮化鎵功率芯片，芯片內部封裝兩顆耐壓 100V，導阻 3.2mΩ 的增強型氮化鎵開(kāi)關(guān)管以及 100V 半橋驅動(dòng)器。內部集成的驅動(dòng)器省去了外部鉗位電路，能夠顯著(zhù)降低關(guān)聯(lián)的寄生參數。半橋氮化鎵器件具備60A連續電流能力，無(wú)反向恢復電荷，并具有極低的導通電阻。
ISG3201 外圍元件非常精簡(jiǎn)，芯片內部集成了驅動(dòng)電阻、自舉電容和供電濾波電容。英諾賽科在這款芯片上采用固化驅動(dòng)形式，減少柵極和功率回路寄生電感，并簡(jiǎn)化功率路徑設計。該芯片還具有獨立的高側和低側 PWM 信號輸入，并支持 TTL 電平驅動(dòng)，可由專(zhuān)用控制器或通用 MCU 進(jìn)行驅動(dòng)控制。
通過(guò)顯微拍攝可清晰看到 ISG3201 的焊盤(pán)依次為 SW，PGND 和 VIN，獨特的焊盤(pán)設計縮小了功率路徑的環(huán)路面積，同時(shí)增大了散熱面積，有效降低器件運行時(shí)的溫升。相比傳統分立的驅動(dòng)器+氮化鎵解決方案，電路設計更加簡(jiǎn)化，PCB尺寸更小巧，可設計單面布板，寄生參數更小，系統性能更優(yōu)。
在應用方面，英諾賽科 ISG3201 半橋氮化鎵功率芯片適用于高頻高功率密度降壓轉換器，半橋和全橋轉換器，D類(lèi)功放，LLC 轉換器和功率模組應用，可用于 AI，服務(wù)器，通信，數據中心等應用場(chǎng)景。48V 工作電壓也滿(mǎn)足 USB PD 3.1 快充以及戶(hù)外電源相關(guān)應用，通過(guò)集成的半橋器件，簡(jiǎn)化功率組件的開(kāi)發(fā)設計。 此前，英諾賽科推出適用于快充的All GaN PD3.1解決方案，使用了中、低壓氮化鎵單管取代傳統的硅MOS，大幅度降低電阻，減小驅動(dòng)損耗，并進(jìn)一步縮小封裝面積，大大提升了氮化鎵快充開(kāi)關(guān)頻率，提高轉換效率和功率密度，為大功率氮化鎵快充提供體積更小巧，更高效的設計參考。
充電頭網(wǎng)總結
半橋氮化鎵功率芯片通過(guò)將氮化鎵開(kāi)關(guān)管和驅動(dòng)器集成，具有更小的封裝面積，更強的散熱性能和更高的功率密度，能夠滿(mǎn)足48V大功率系統的應用，如高性能計算機，服務(wù)器，太陽(yáng)能逆變器，電機驅動(dòng)，數字音頻以及電動(dòng)汽車(chē)應用。 ISG3201 簡(jiǎn)化了低壓氮化鎵器件在48V以及更低電壓系統中的應用，可以便捷搭配多種控制器，實(shí)現不同功能，提升效率。2023年英諾賽科還將相繼推出Solid GaN 系列的更多低壓氮化鎵功率芯片，以滿(mǎn)足更多市場(chǎng)應用需求。
英諾賽科是全球領(lǐng)先的氮化鎵芯片研發(fā)與制造的IDM企業(yè)，擁有全球最大規模的8英寸硅基氮化鎵晶圓廠(chǎng)和先進(jìn)的氮化鎵制程工藝。目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)布和銷(xiāo)售多款氮化鎵功率器件，覆蓋30V到700V電壓范圍，產(chǎn)品的各項性能指標均達到國際先進(jìn)水平，已經(jīng)在快充、通信、LED、人工智能、自動(dòng)駕駛、數據中心、儲能等多個(gè)新興領(lǐng)域中得到應用。
