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近日，長(cháng)春中科長(cháng)光時(shí)空光電技術(shù)有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)：長(cháng)光時(shí)空）與中國科學(xué)院長(cháng)春光學(xué)精密機械與物理研究所（簡(jiǎn)稱(chēng)：長(cháng)春光機所）聯(lián)合發(fā)布了在人眼安全垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）方面的最新成果。長(cháng)光時(shí)空帶領(lǐng)聯(lián)合研究團隊突破了高密度集成VCSEL陣列技術(shù)，在國內首次實(shí)現了1550nm VCSEL芯片連續輸出功率＞1W，脈沖輸出功率＞10W。

相關(guān)論文：《高功率人眼安全波段垂直腔面發(fā)射激光器》（中國激光，2023,50（19）：1901008）（網(wǎng)絡(luò )首發(fā)）。

左圖為1550nm VCSEL陣列連續輸出功率曲線(xiàn)，右圖為1550nm VCSEL陣列脈沖輸出功率曲線(xiàn)及遠場(chǎng)圖

由于高功率VCSEL陣列在集成度、可靠性、光束性能、量產(chǎn)成本等方面具有獨特優(yōu)勢，業(yè)界普遍看好VCSEL在激光雷達與自動(dòng)駕駛領(lǐng)域中的應用前景。相比現有905nm/940nm等常規波長(cháng)的激光，1550nm波長(cháng)的激光的人眼損傷功率高兩個(gè)數量級以上，然而高功率的1550nm VCSEL陣列在國內外均罕有報道。這是由于1550nm VCSEL無(wú)法沿用常規的成熟VCSEL制程工藝，在設計和生產(chǎn)方面技術(shù)壁壘較高，研發(fā)難度極大。長(cháng)光時(shí)空-長(cháng)春光機所聯(lián)合團隊在前期研究基礎上（2022年實(shí)現國內首個(gè)單模功率大于1mW的1550nm VCSEL芯片），開(kāi)發(fā)出連續輸出1W，脈沖輸出10W的1550nm VCSEL芯片，為下一步開(kāi)發(fā)車(chē)規級人眼安全VCSEL產(chǎn)品奠定了重要基礎。

長(cháng)光時(shí)空-長(cháng)春光機所聯(lián)合團隊在王立軍院士、寧永強教授的領(lǐng)導下，自2002年至今在高性能VCSEL芯片研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面成果斐然：團隊曾于2004年在國際上首次報道了輸出功率達到1.95W的VCSEL芯片；2010年報道了在砷化鎵襯底表面集成微透鏡的低發(fā)散角VCSEL芯片；2011年報道了脈沖輸出功率92W的VCSEL芯片；2014年報道脈沖輸出功率超過(guò)200W的高功率VCSEL芯片和模組；2018年報道了面向激光雷達應用的905nm百瓦級高功率VCSEL芯片；2022年報道了量子陀螺專(zhuān)用芯片國際領(lǐng)先的研究成果以及在人眼安全波段VCSEL方面的成果。