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中科院電工所利用放電等離子體技術(shù)提升儲能電容器薄膜性能
來(lái)源:電工研究所  瀏覽次數:913  發(fā)布時(shí)間:2024-02-28

近日,中國科學(xué)院電工研究所研究員邵濤團隊利用放電等離子體提升儲能電容器薄膜性能獲進(jìn)展?;谠搱F隊在氣體放電機理、參數調控及材料改性應用等方面的積累,該研究通過(guò)氣體放電驅動(dòng)準分子深紫外光源,在常壓空氣中輻照商業(yè)電容器薄膜,僅一步處理顯著(zhù)提升薄膜擊穿電場(chǎng)、儲能密度等性能,對突破國產(chǎn)儲能電容器薄膜性能瓶頸具有重要意義。

薄膜電容器是特高壓直流輸電、柔性直流輸電、電磁能裝備的核心儲能器件。雙向拉伸聚丙烯(BOPP)作為薄膜電容器的關(guān)鍵材料,具有擊穿電場(chǎng)高、常溫損耗低等優(yōu)勢。而高溫下BOPP擊穿電場(chǎng)嚴重下降、損耗急劇提升,成為限制薄膜電容器性能的瓶頸?,F有研究多通過(guò)無(wú)機摻雜、表面噴涂、沉積、接枝等方法,提升BOPP介電性能,但常用化學(xué)試劑多步處理,并可能引入新的界面問(wèn)題,尚需攻克從實(shí)驗室到工業(yè)應用的難題。

該研究采用氣體放電等離子體高效產(chǎn)生KrCl?222?nm和Xe2?172?nm準分子深紫外光,具有光子能量高、環(huán)境友好等優(yōu)勢,在常壓空氣中直接輻照改性BOPP。這一“軟”改性方法可無(wú)損實(shí)現BOPP斷鍵、重構,裂解氧分子、產(chǎn)生氧原子,形成熱穩定性更好的C-O鍵,并避免引入新的界面問(wèn)題。改性后BOPP擊穿電場(chǎng)常溫下提升17%、120°C下提升52%,常溫下效率大于95%放電密度由4?MJ/m3提升到7.5?MJ/m3。該方法可以拓展到PET、PEN、PEI等高溫介質(zhì)薄膜,具有良好的通用性。

為了揭示改性?xún)仍跈C理,該工作建立了分辨率達0.5?μm的激光誘導壓力波空間電荷測量方法,原位獲得了改性前后BOPP原樣品的空間電荷分布,發(fā)現了深紫外光改性可以顯著(zhù)減少空間電荷量、弱化電場(chǎng)畸變;結合密度泛函理論計算,闡明了氧原子引入BOPP鏈后形成深陷阱,限制載流子遷移。

該研究全鏈條深度融合放電等離子體產(chǎn)生與材料改性應用。處理過(guò)程不涉及任何化學(xué)試劑、不產(chǎn)生高污染副產(chǎn)物,具有一步、通量大、能耗低等優(yōu)勢。該團隊正在開(kāi)展將該技術(shù)植入薄膜電容器“卷對卷”生產(chǎn)線(xiàn)的成果轉化。

相關(guān)研究成果以Improving?Charge?Storage?of?Biaxially-Oriented?Polypropylene?Under?Extreme?Electric?Fields?by?Excimer?Uv?Irradiation為題,在線(xiàn)發(fā)表在《先進(jìn)材料》(Advanced?Materials)上。研究工作得到國家自然科學(xué)基金和智能電網(wǎng)聯(lián)合基金等的支持。



放電準分子光BOPP薄膜改性原理與效果圖


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