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近日，清純半導體正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型號：SG2MA35120B）及對應SOT227封裝產(chǎn)品（型號：S1P04R120SSE），以滿(mǎn)足客戶(hù)在高性能、大功率應用的需求。在室溫下，該芯片電阻為3.5毫歐，擊穿電壓不低于1600V。本產(chǎn)品通過(guò)設計和工藝的改進(jìn)，完成對芯片電流路徑上高溫分布電阻的優(yōu)化，特別是溝道電阻與N型區電阻的折中設計，實(shí)現了優(yōu)秀的電阻溫度系數。測試結果表明在175℃下芯片導通電阻僅為室溫下電阻的1.5倍。

隨著(zhù)碳化硅（SiC）材料質(zhì)量和制造技術(shù)的不斷提升，大電流、低導通電阻SiC功率芯片得以實(shí)現，同時(shí)也將進(jìn)一步簡(jiǎn)化功率模塊封裝，加速SiC在新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的應用。本產(chǎn)品通過(guò)結構、工藝的優(yōu)化設計，顯著(zhù)降低了部分關(guān)鍵缺陷對性能的影響；同時(shí)采用了更低的比電阻設計技術(shù)，降低了同電阻下的芯片面積，從而使成品率降低趨勢得以控制，實(shí)現了大電流、低電阻芯片的量產(chǎn)。另一方面，SiC MOSFET在大功率應用中，容易受到各類(lèi)干擾的影響而發(fā)生柵極的誤開(kāi)啟，如上下管之間電容自充電引起的寄生開(kāi)啟（Parasitic Turn-on），以及不同橋臂之間的串擾等。本產(chǎn)品通過(guò)對柵極微結構布局的優(yōu)化，一方面提升了輸入電容Ciss與轉移電容Crss的比值，另一方面提高了閾值電壓，從而實(shí)現對串擾的抑制。在應用方面，該芯片兼容18V與15V驅動(dòng)電壓，適應不同驅動(dòng)電路的開(kāi)發(fā)需求，方便對IGBT在各種應用的直接替代。

 中國科學(xué)院電工研究所基于芯片產(chǎn)品SG2MA35120B完成了低雜感半橋模塊封裝。中國科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇表示: “在中科院交叉團隊項目和國家重點(diǎn)研發(fā)計劃新能源汽車(chē)專(zhuān)項項目的支持下，該單顆芯片在環(huán)境溫度為150°C且母線(xiàn)電壓為800V時(shí)實(shí)現了350A的電流輸出能力。本芯片特別適用于大功率車(chē)用電驅系統，可有效抑制并聯(lián)大數量小電流芯片帶來(lái)的不均流、不均溫難題”。