中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
近日，英特爾憑借其內部硅光子學(xué)技術(shù)的卓越實(shí)力，成功研發(fā)出了一款革命性的4Tbps雙向全集成光計算互連（OCI）芯片。
這款芯片不僅解決了人工智能基礎設施對帶寬的巨大需求，更為未來(lái)的可擴展性奠定了堅實(shí)基礎。
獨特優(yōu)勢，多個(gè)部件完美融合
據悉，這款OCI芯片集硅光子集成電路（PIC）、射頻通硅過(guò)孔（TSV）的電子IC以及可拆卸/可重復使用的光學(xué)連接器路徑于一身。
其獨特的設計，使得它能夠與下一代CPU、GPU、IPU以及其他高帶寬需求的片上系統（SOC）應用完美融合，共同構建一個(gè)高效、穩定的數據傳輸網(wǎng)絡(luò )。
英特爾表示，這一重大突破為提供多太比特的光連接鋪平了道路。與PCIe Gen6相比，OCI芯片的海岸線(xiàn)密度（由模塊安裝間距決定）提高了4倍以上，能源效率更是低于3PJ/Tit，延遲小于10ns (+TOF)，傳輸距離更是超過(guò)了100米。這一系列優(yōu)勢，使得OCI芯片在數據傳輸領(lǐng)域具有無(wú)可比擬的性能表現。
值得一提的是，英特爾首個(gè)OCI的實(shí)現便是一個(gè)與PCIe Gen5兼容的4Tbps雙向芯片。它能夠在10米以上的距離上支持64條32Gbps的數據傳輸，實(shí)現了8對光纖的并行工作，每對光纖攜帶8個(gè)DWDM波長(cháng)。而該平臺的長(cháng)遠目標更是高達32Tbps的小芯片，展現出令人矚目的發(fā)展潛力。
支持高達8Tbps的雙向應用
此外，當前模堆中的單個(gè)PIC能夠支持高達8Tbps的雙向應用，其通過(guò)集成DWDM激光陣列和光放大器實(shí)現了完整的光子子系統。
這種設計，不僅提供了比傳統InP激光器更高的可靠性數量級，還使得硅光子學(xué)芯片在晶圓級制造、老化和測試方面實(shí)現了真正的突破。這一突破，進(jìn)一步轉化為子系統級的簡(jiǎn)單性和可靠性提升，以及制造效率的顯著(zhù)提高。
采用廣泛部署的標準單模光纖
更令人欣喜的是，英特爾的OCI芯片采用了廣泛部署的標準單模光纖（SMF-28），而不是市場(chǎng)上其他技術(shù)方法所需的偏振保持光纖（PMF）。
由于系統振動(dòng)和纖維擺動(dòng)會(huì )對PMF的性能和鏈路預算產(chǎn)生負面影響，因此很少在實(shí)際應用中部署。而這款OCI芯片的使用，無(wú)疑為數據傳輸帶來(lái)了更廣泛的適用性和更高的穩定性。
近期，英特爾已重點(diǎn)推出展示其第一代OCI芯片與通過(guò)光纖實(shí)時(shí)運行數據的概念英特爾CPU共封裝模塊。這一展示，將向全球觀(guān)眾展示英特爾在光計算領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力和創(chuàng )新成果。
相信未來(lái)OCI芯片將在人工智能基礎設施領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用，引領(lǐng)整個(gè)行業(yè)邁向新的發(fā)展階段。
制芯“利器”：全球最先進(jìn)EUV光刻系統
值得注意的是，近期，英特爾代工廠(chǎng)在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地還完成了業(yè)界首臺商用高數值孔徑（NA）極紫外（EUV）光刻掃描儀的組裝，這是先進(jìn)半導體制造領(lǐng)域的一個(gè)重要里程碑。
英特爾公司表示，該機器通過(guò)改變用于將打印圖像投影到硅晶圓上的光學(xué)設計，極大地提高了下一代芯片的分辨率和功能擴展。
高數值孔徑（NA） EUV設備，將在先進(jìn)芯片開(kāi)發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。英特爾晶圓代工廠(chǎng)是業(yè)界在高NA EUV領(lǐng)域的先行者，將能夠在芯片制造中提供前所未有的精度和可擴展性，使公司能夠開(kāi)發(fā)具有最具創(chuàng )新性特征和功能的芯片，這對推動(dòng)人工智能和其他新興技術(shù)的進(jìn)步至關(guān)重要，預計對集成光計算互連芯片等相關(guān)領(lǐng)域的進(jìn)展也將產(chǎn)生一定的助力。
