中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
長(cháng)光辰芯(Gpixel)正式發(fā)布GIR系列InGaAs線(xiàn)陣圖像傳感器GIR1201/GIR2505，填補國產(chǎn)短波紅外(SWIR)技術(shù)空白。該系列采用創(chuàng )新InGaAs材料工藝，覆蓋900-1700nm波段，以72dB超高動(dòng)態(tài)范圍、1550nm處75%量子效率及71.9kHz行頻，為半導體晶圓檢測、光伏EL診斷等高端工業(yè)場(chǎng)景提供硬核成像引擎。
長(cháng)光辰芯(Gpixel)正式發(fā)布GIR系列InGaAs線(xiàn)陣圖像傳感器GIR1201/GIR2505，填補國產(chǎn)短波紅外(SWIR)技術(shù)空白。該系列采用創(chuàng )新InGaAs材料工藝，覆蓋900-1700nm波段，以72dB超高動(dòng)態(tài)范圍、1550nm處75%量子效率及71.9kHz行頻，為半導體晶圓檢測、光伏EL診斷等高端工業(yè)場(chǎng)景提供硬核成像引擎。
技術(shù)難點(diǎn)與應對方案
產(chǎn)品優(yōu)勢
●效率革命：GIR1201行頻71.9kHz比競品提速40%，滿(mǎn)足光伏串檢產(chǎn)線(xiàn)3000片/小時(shí)需求
●精度躍升：1.6Me?滿(mǎn)阱容量確保強光場(chǎng)景不飽和，硅片隱裂檢出率提升至99.2%
●功耗控制：450mW超低功耗，無(wú)懼高密度相機陣列散熱挑戰
●開(kāi)發(fā)便利：評估系統即裝即用，縮短相機廠(chǎng)商6周研發(fā)周期
技術(shù)亮點(diǎn)
●材料突破：優(yōu)化InGaAs外延層結構，1550nm波段量子效率達75%（行業(yè)平均<68%）
●雙增益模式：高增益模式(120ke?)捕捉弱缺陷，低增益模式(1.6Me?)抑制強光溢出
●智能封裝：57.4×18.9mm陶瓷DIP封裝，內置溫度補償電路，-40℃~85℃性能無(wú)漂移
同類(lèi)競品對比分析
分析：GIR系列在核心參數上實(shí)現國產(chǎn)超越——GIR1201的行頻達Hamamatsu同級產(chǎn)品1.8倍，GIR2505的25μm大像素尺寸更適配鋰電極片檢測等微米級應用。
應用場(chǎng)景
●半導體前道檢測：晶圓表面納米級劃傷識別（配合1064nm激光）
●光伏智能分選：EL隱裂檢測+電池片效率分級同步完成
●?；繁O管：透過(guò)塑料容器檢測有機溶劑（SWIR波段特性）
●醫療內窺成像：血管氧合狀態(tài)實(shí)時(shí)監測（1300nm波段穿透優(yōu)勢）
典型應用案例
某光伏頭部企業(yè)采用GIR2505搭建高速EL檢測系統：
● 25μm像素精準捕捉微裂紋，替代原日本傳感器成本降低35%
●40.4kHz行頻支持雙軌同步檢測，產(chǎn)能提升至8000片/小時(shí)
●高溫車(chē)間連續運行12個(gè)月，壞點(diǎn)率<0.01%
產(chǎn)品供貨情況
●工程樣片即日起開(kāi)放申請（支持定制光學(xué)窗口片）
● 評估套件含驅動(dòng)板+圖像采集軟件，48小時(shí)極速交付
●工業(yè)級產(chǎn)品量產(chǎn)周期8周，提供3年質(zhì)保
結語(yǔ)
GIR系列標志著(zhù)國產(chǎn)SWIR傳感器正式躋身高端工業(yè)檢測戰場(chǎng)。長(cháng)光辰芯通過(guò)材料、封裝、電路三重創(chuàng )新，突破“卡脖子”成像技術(shù)，為半導體自主化、新能源智造提供底層支撐。未來(lái)將拓展至2560線(xiàn)陣，持續領(lǐng)跑短波紅外成像新賽道。
