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屏蔽結構+超低損耗!Bourns推出兩款屏蔽功率電感器
來(lái)源:電子元件技術(shù)  瀏覽次數:86  發(fā)布時(shí)間:2025-07-09

Bourns全球首發(fā)專(zhuān)為DDR5內存電源管理定制開(kāi)發(fā)的SRP2512CL(2520封裝)與SRP3212CL(3030封裝)屏蔽功率電感器系列。采用突破性納米晶磁芯技術(shù),實(shí)現業(yè)內最低ACR/DCR特性與-40℃~125℃全溫域靜音運行,直擊DDR5 PMIC高頻噪聲痛點(diǎn)。

技術(shù)痛點(diǎn)與創(chuàng )新方案

DDR5供電挑戰:

●PMIC開(kāi)關(guān)頻率突破2MHz,傳統鐵氧體電感磁損劇增

●高頻嘯叫導致內存讀寫(xiě)錯誤率上升

●客戶(hù)端模塊空間壓縮要求元件微型化

Bourns三大破局技術(shù):

 納米晶磁芯:高頻渦流損耗降低60%(vs.鐵氧體)

 蜂鳴抑制架構:三明治屏蔽層+磁粉定向排列技術(shù),噪聲<10dB

 微型化封裝:2520尺寸(2.5×2.0mm)兼容超薄筆記本內存模組


核心價(jià)值

●能效躍升:ACR降低45%,DDR5 VDDQ電源轉換效率提升至94%

●信號保真:電磁輻射衰減20dB,規避內存數據串擾

●低溫啟動(dòng):-40℃環(huán)境下感值漂移<3%(競品>8%)

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