中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
村田近日利用Murata Electronics Oy（原VTI Technologies）的MEMS技術(shù)，研發(fā)出超小32.768kHz MEMS諧振器，新產(chǎn)品有助于IoT設備和可穿戴設備等的小型化和低功耗。比現有小型產(chǎn)品體積減少50％以上、低ESR（等效串聯(lián)電阻）特性、出色的頻率精度和低功耗。
為IoT設備和可穿戴設備等的小型化和低功耗做貢獻
市場(chǎng)要求IoT和可穿戴所用的電子設備能小型化、長(cháng)時(shí)間運轉，于是構成電子設備的電子元器件也就要更小型化和省電。尤其是諧振器，在眾多的電子元器件中，低功耗諧振器的需求更急切，用以持續恒定工作，使設備能正常發(fā)揮功能。
為了適應市場(chǎng)需求，維持可持續的市場(chǎng)增長(cháng)力，村田利用已被汽車(chē)等行業(yè)采用的Murata Electronics Oy（原VTI Technologies）的MEMS技術(shù)，研發(fā)了有助于IoT設備和可穿戴設備等的小型化和低功耗的超小32.768kHz MEMS諧振器。比現有小型產(chǎn)品體積減少50％以上、低ESR（等效串聯(lián)電阻）特性、出色的頻率精度和低功耗。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 比傳統產(chǎn)品縮小50％以上
產(chǎn)品尺寸為0.9?0.6?0.3mm（寬×長(cháng)×高），比傳統的32.768k kHz晶體諧振器體積減少了50%* 以上。
*比較尺寸是與1.2?1.0?0.3mm（寬×長(cháng)×高）的同等產(chǎn)品相比較
2. 器件內置靜電電容
生成基準時(shí)鐘信號的電路需要2個(gè)多層陶瓷電容，而本研發(fā)品已內置6.9pF靜電電容。由此貼裝時(shí)能大幅減少空間，使電路設計的自由度更大。
3. 通過(guò)實(shí)現低ESR降低功耗
普通晶體諧振器存在尺寸越小ESR越高的有待解決課題，而本研發(fā)品通過(guò)低ESR(75kΩ)化，降低了半導體集成電路的增益，從而生成穩定的基準時(shí)鐘信號，實(shí)現低功耗（比傳統產(chǎn)品減少13％）。（根據本公司測定結果）。
4. 能內置于半導體集成電路的封裝內
通過(guò)使用硅材料的WL-CSP（Wafer-Level Chip Scale Packaging）封裝，能內置于同質(zhì)半導體集成電路進(jìn)行封裝。
