中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開(kāi)發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 － 半導體 － 金屬（MSM）探測器。
在此項研究中，研究人員稱(chēng)此款探測器具有比目前報道的多數GaN納米／微絲或薄膜紫外檢測器更好的性能。該團隊認為其在光電子和片上光電集成系統有很大的應用潛力。
研究人員通過(guò)一種自上而下的技術(shù)來(lái)創(chuàng )建水平微絲，該技術(shù)與垂直導線(xiàn)隨機放置和不均勻直徑或曲率不同的波導生長(cháng)方法相比，可以實(shí)現更好的生產(chǎn)重復性。 此外，該技術(shù)減少了對結構到另一基板的復雜剝離和層轉移的需要或其他增加生產(chǎn)成本的復雜過(guò)程。
利用300nm等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）二氧化硅層制備2英寸高阻（100）硅襯底，該二氧化硅層被轉成3μm條紋；通過(guò)氫氧化鉀濕法蝕刻硅表面使其產(chǎn)生具有（111）小平面的梯形通道，使其呈現最有利于III族氮化物生長(cháng)的六方原子排列； 然后用氫氟酸溶液除去氧化物。
微絲陣列通過(guò)采用300nm AlN絕緣緩沖液低壓（100mbar）金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD），然后再摻雜入GaN（圖1）制備得到。將導線(xiàn)與兩個(gè)相距20μm的鎳／金肖特基電極接觸。通過(guò)熒光實(shí)驗可以看出其顯示出了一個(gè)尖銳且高強度的近帶邊發(fā)射峰，中心為364．5nm（～3．4eV），且并未未觀(guān)察到代表雜質(zhì)和缺陷的黃色發(fā)光。
在2500μW·cm－2 325nm氦鎘激光功率，5．0V偏壓下，電流為2．71mA；暗電流為1．3μA，靈敏度為2．08×10E5％；電流 － 光輸出功率依賴(lài)性遵循冪指數為0．995；冪指數接近1表示為低密度的陷阱態(tài)和GaN微絲的晶體質(zhì)量很好；響應度計算為1．17x10E5A ／ W，外部量子效率（EQE）為4．47x10E5；最大特定探測率為10E16瓊斯。
研究人員聲稱(chēng)，他們所研制的紫外光電探測器與目前報道的單一GaN納米／微電子和納米線(xiàn)陣列光電探測器相比具有高紫外線(xiàn)靈敏度，高響應度和高EQE的特點(diǎn)。
該團隊還在藍寶石上創(chuàng )建了一個(gè)具有3μmGaN層的對比器件。這些器件采用鎳／金觸點(diǎn)。電極光刻使用與硅上的微絲器件相同的光掩模。靈敏度，響應度和EQE分別為2．77x10E4％，0．21A ／ W和0．80。
