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近日，2018國際電子器件大會(huì )（IEDM）在美國舊金山召開(kāi)。會(huì )上，微電子所劉明院士科研團隊展示了28納米嵌入式阻變存儲器可靠性?xún)?yōu)化以及基于HfZrO鐵電FinFET器件的最新研究成果。  

　　對于新型存儲器RRAM，初始電形成過(guò)程會(huì )增加電路設計復雜度，帶來(lái)可靠性問(wèn)題，一直是工業(yè)界和科研界研究的熱點(diǎn)。劉明院士團隊在RRAM方向的研究具有豐富的經(jīng)驗，針對28納米的1Mb RRAM測試芯片（IEDM 2017 2.4.1），提出了高溫forming的編程方法，可以將平均forming電壓從2.5V以上降為1.7V。由于高溫forming過(guò)程中細絲內殘留的氧離子大幅減少，編程之后由于氧離子和氧空位復合造成的電阻弛豫效應得到消除，器件的保持特性得到了40以上的大幅提升。 

針對先進(jìn)工藝節點(diǎn)的嵌入式存儲器缺失問(wèn)題，劉明院士團隊與殷華湘研究員合作提出了基于HZO鐵電FinFET的混合存儲器件。該器件在電荷俘獲模式下，表現出高耐久性（>10¹²），高操作速度（<20ns），良好的數據保持特性（10⁴@85^oC），與DRAM的性能相近，為在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。當器件工作在電籌翻轉模式下的時(shí)候，器件表現出非常好的數據保持特性（>10年）以及對讀取信號串擾的免疫能力，使該器件同時(shí)具有優(yōu)越的不揮發(fā)存儲特性。 

　　基于上述成果的2篇研究論文入選2018國際電子器件大會(huì )。第一作者許曉欣博士、羅慶博士分別在大會(huì )上作了口頭報告。 兩篇論文的通訊作者均為呂杭炳研究員和劉明院士。 

　　IEEE國際電子器件大會(huì )始于1954年，現已成為全球報道半導體及電子領(lǐng)域最新的科技、研發(fā)設計、制造、物理學(xué)及建模技術(shù)的主要論壇，旨在為產(chǎn)學(xué)研界的研究學(xué)者提供關(guān)于電子器件最新研究進(jìn)展和研究成果的國際交流平臺。