江蘇多維科技有限公司(MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 日前推出AMR2302、AMR2501系列高性能低噪聲各向異性磁阻(AMR)線(xiàn)性磁傳感器芯片。這一系列產(chǎn)品采用多維科技自主研發(fā)的特種坡莫合金材料及特殊的工藝流程制成,大大降低了芯片的本底噪聲,AMR2501可以實(shí)現本底噪聲密度150pT/Hz1/2(@1Hz),AMR2302可以實(shí)現本底噪聲密度400pT/HzHz1/2(@1Hz)。
AMR2302采用了兩個(gè)獨特的推挽式惠斯通全橋結構設計,包含X/Y雙軸各四個(gè)高靈敏度AMR傳感器元件,標準的SOP16封裝形式,測量范圍達到±10Gs;AMR2501采用了單推挽式惠斯通全橋結構設計,包含單軸四個(gè)高靈敏度AMR傳感器元件,采用了DFN5X6 -16L的超小封裝形式,測量范圍達到±4Gs,靈敏度達到2.1mV/V/Gs。AMR2302、AMR2501線(xiàn)性磁場(chǎng)傳感器芯片都有著(zhù)極寬的工作磁場(chǎng)及工作電壓范圍,同時(shí)有極低的磁滯特性,可以滿(mǎn)足各種微弱磁場(chǎng)檢測、電流傳感器、位置傳感器、交通流量檢測等應用的要求。