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中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所高功率激光物理聯(lián)合實(shí)驗室在高損傷閾值液晶器件研制方面取得進(jìn)展，研究人員使用氮化鎵代替氧化銦錫（ITO）作為導電膜制作液晶光開(kāi)關(guān)，在保證其開(kāi)關(guān)性能的基礎上，將液晶器件的損傷閾值提升至高于1J/cm²。相關(guān)成果發(fā)表于Optics Letters。

液晶光學(xué)器件，尤其是液晶空間光調制器作為一種能夠實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)地控制光場(chǎng)振幅、相位、偏振態(tài)的光學(xué)器件，已在慣性約束聚變大型激光裝置、激光加工、激光通信等領(lǐng)域得到應用。特別是激光加工、激光通信等領(lǐng)域，隨著(zhù)激光功率增大，對于器件的高損傷閾值特性有著(zhù)迫切需求。目前器件中氧化銦錫（ITO）導電材料的激光損傷問(wèn)題，限制了該類(lèi)器件的進(jìn)一步廣泛應用。

針對以上問(wèn)題，研究人員注意到氮化鎵材料在具有成為透明導電膜材料潛力的同時(shí)，其激光損傷閾值高于ITO材料，進(jìn)而通過(guò)將氮化鎵材料替代ITO應用于液晶光開(kāi)關(guān)的透明導電層部分，在保證了其開(kāi)關(guān)性能的同時(shí)，成功提高了液晶光開(kāi)關(guān)的激光損傷閾值。結果表明，氮化鎵作為液晶光學(xué)器件的導電膜材料具有巨大潛力，尤其是未來(lái)在液晶空間光調制器中具有廣泛的應用前景。