中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
瑞士萊姆公司利用多年的豐富經(jīng)驗開(kāi)發(fā)了單芯片封裝的傳感器---HMSR。
傳統的電流測量方式是使用開(kāi)環(huán)霍爾效應傳感器。電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)由磁芯聚磁，霍爾元件感應磁場(chǎng)強度來(lái)測量。近來(lái)，帶有高級補償技術(shù)的專(zhuān)用ASIC技術(shù)方案幫助提高了電流測量的總體精度。
萊姆在十年前率先在LTSR產(chǎn)品中實(shí)現了傳感器小型化。當時(shí)，為了確保性能優(yōu)勢的最好方法是采用閉環(huán)霍爾效應技術(shù)，萊姆設計了定制化閉環(huán)ASIC。隨著(zhù)ASIC技術(shù)的發(fā)展，霍爾開(kāi)環(huán)傳感器也有了專(zhuān)用的ASIC，使得開(kāi)環(huán)傳感器的性能接近閉環(huán)技術(shù)所能達到的水平。開(kāi)環(huán)ASIC技術(shù)不僅在體積小型化上更容易實(shí)現，而且能滿(mǎn)足市場(chǎng)對成本優(yōu)勢的要求，同時(shí)結構簡(jiǎn)單，功耗低。
此新產(chǎn)品系列囊括了六個(gè)不同的額定電流等級：6A、8A、10A、15A、20A和30A， 測量范圍可達額定電流的2.5倍，采用SOIC 16 封裝。標準型的產(chǎn)品提供了不同靈敏度級別的模擬電壓輸出，其中5V供電電源版的對應輸出電壓是800mV @IPN。
HMSR設置兩個(gè)OCD（過(guò)流檢測）功能，將控制回路與保護回路分離。分別設定兩個(gè)不同的引腳給兩個(gè)OCD， 一個(gè)為內部OCD，過(guò)流限值設為2.93 x IPN，另一個(gè)是外部OCD，過(guò)流限值可以根據實(shí)際情況由使用者調節。
然而，HMSR傳感器不應視為簡(jiǎn)單的開(kāi)環(huán)霍爾ASIC的傳感器。HMSR獨特的初級導體設計，允許流過(guò)更大的過(guò)載電流，并且保持高水平的絕緣性能，這得益于內部集成了磁性材料的磁路，這種結構對電力電子應用中存在的外部不均勻磁場(chǎng)具有良好的免疫力，使得HMSR能夠在高干擾的環(huán)境中使用。
HMSR中加入的磁路也是提高帶寬的關(guān)鍵因素，帶寬可達270 kHz（-3dB），同時(shí)起到對外磁場(chǎng)的良好抑制作用。
這種專(zhuān)用的ASIC設計結合了旋轉和內部溫度補償（EE-PROM）技術(shù)，經(jīng)現場(chǎng)驗證，改進(jìn)了增益和零點(diǎn)漂移。實(shí)現了-40°C到+125°C 溫度范圍內的高精度，額定電流時(shí)的精度典型值為0.5 %（HMSR 20-SMS型號）。在功率轉換應用中，如太陽(yáng)能逆變器或驅動(dòng)器等，都要求高效率，這就要求控制回路必須精確。
與上一代產(chǎn)品相比，HMSR極大地提高了整個(gè)溫度范圍內的精度。下圖顯示了HMSR 20-SMS在整個(gè)溫度范圍內（-40°C到+125°C）極其良好的線(xiàn)性度和總精度。
