中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì )
China Electronic Components Association
【導讀】近日，日本市場(chǎng)研究公司富士經(jīng)濟發(fā)表了一份研究報告《功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢和技術(shù)趨勢》，總結了功率半導體晶圓市場(chǎng)的研究結果。
近日，日本市場(chǎng)研究公司富士經(jīng)濟發(fā)表了一份研究報告《功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢和技術(shù)趨勢》，總結了功率半導體晶圓市場(chǎng)的研究結果。
報告稱(chēng)，2024年功率半導體市場(chǎng)預計將比上年增長(cháng)23.4%，達到2813億日元。雖然硅功率半導體硅片市場(chǎng)因庫存調整而較上年下滑，但由于各大廠(chǎng)商產(chǎn)能增加，SiC裸片銷(xiāo)量預計同比增長(cháng)56.9%，超過(guò)硅片市場(chǎng)。
此外，從2025年起，隨著(zhù)功率半導體需求的不斷增長(cháng)，市場(chǎng)預計將擴大。特別是，由于汽車(chē)電動(dòng)化帶來(lái)的需求增加，SiC裸片有望成為長(cháng)期市場(chǎng)驅動(dòng)力，硅片也有望擺脫產(chǎn)量調整的影響。此外，我們還可以期待GaN晶圓直徑的增加以及氧化鎵晶圓開(kāi)始量產(chǎn)等附加內容，預計2035年市場(chǎng)規模將擴大至10,763億日元，是2023年的4.7倍。
盡管功率半導體市場(chǎng)尚未興起，但金剛石晶圓、氮化鋁晶圓、二氧化鍺晶圓等下一代技術(shù)正在開(kāi)發(fā)中，其實(shí)際應用值得期待。
報告指出，近年來(lái)，隨著(zhù)功率半導體需求的增加，為了確保供應量，晶圓的直徑不斷增加。除了轉向300mm硅晶圓外，SiC裸晶圓市場(chǎng)預計從2025年起8英寸（200mm）晶圓將真正起飛。此外，正在開(kāi)發(fā)用于功率半導體的 6 英寸（150 毫米）GaN 晶圓和氧化鎵晶圓。
不過(guò)，目前硅功率半導體大部分由8英寸晶圓供貨，預計未來(lái)8英寸晶圓占比仍將超過(guò)60%（基于晶圓數量）。300mm晶圓越來(lái)越多地用于IGBT和MOSFET，隨著(zhù)汽車(chē)和電氣設備領(lǐng)域需求的增加，其采用預計將進(jìn)一步增加，未來(lái)除某些器件外，8英寸和300mm晶圓將分開(kāi)。是期待。
此外，目前SiC裸片以6英寸為主，預計這種情況還將持續一段時(shí)間，但8英寸晶圓市場(chǎng)預計從2025年開(kāi)始形成，部分樣品出貨已經(jīng)開(kāi)始預計到2035年，其將占所有 SiC 裸晶圓（以晶圓數量計）的13.3%。然而，傳統4英寸晶圓預計僅在中國和日本等部分地區部署。預計未來(lái)市場(chǎng)規模將會(huì )縮小。
